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摘要
自石墨烯成功分离以来，二维材料的数量在持续增长。通过范德华(vdW)异质结
构的形式将不同的二维晶体或者具有不同取向相同的晶体叠加在一起还可以构筑新
型二维材料，从而探索新的物理性质，以及制造具有新功能的器件。二维材料的电子
性质对其在器件方面的应用至关重要，所以对二维材料的电子结构进行调控是十分必
要的。IV族元素Si、Ge、Sn因和C处在同一主族而备受关注。本文基于第一性原理
计算，对IV族二维材料(石墨烯、硅烯、锗烯、锡烯、SiGe、SiSn、GeSn、SiC、
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