半导体物理综合练习题 .pdfVIP

1、什么叫本征激发温度越高，本征激发的载流子越多，为什么试定

性说明之。

解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥E）被激发到导带

g

成为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的

电子-空穴对。

如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会

有更多的电子被激发到导带中。

2、试指出空穴的主要特征。

解：空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量

电子的集体运动状态，是准粒子。主要特征如下：

A、荷正电：+q；

B、空穴浓度表示为p（电子浓度表示为n）；

C、E=-E

Pn

D、m*=-m*。

Pn

3、试定性说明Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数的原因。

解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。

温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；

允带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，

将导致禁带变宽。

因此，Ge、Si的禁带宽度具有负温度系数。

4、简述Ge、Si和GaAS的能带结构的主要特征。

解：

（1）Ge、Si:

a）Eg(Si：0K)=；Eg(Ge：0K)=；

b）间接能隙结构

c）禁带宽度E随温度增加而减小；

g

（2）GaAs：

a）E（300K）=，Eg(0K)=；

g

b）直接能隙结构；

-4

c）Eg负温度系数特性：dE/dT=×10eV/K；

g

5、什么叫浅能级杂质它们电离后有何特点

解：浅能级杂质是指其杂质电离能远小于本征半导体的禁带宽度的杂

质。它们电离后将成为带正电（电离施主）或带负电（电离

受主）的离子，并同时向导带提供电子或向价带提供空穴。

6、什么叫施主什么叫施主电离施主电离前后有何特征试举例说明之，

并用能带图表征出n型半导体。

解：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同

时向导带提供电子，这种杂质就叫施主。

施主电离成为带正电离子（中心）的过程就叫施主电离。

施主电离前不带电，电离后带正电。例如，在Si中掺P，P

为Ⅴ族元素，

本征半导体Si为Ⅳ族元素，P掺入Si中后，P的最外层电子有

四个与Si的最外层四个电子配对成为共价电子，而P的第五个外层

电子将受到热激发挣脱原子实的束缚进入导带成为自由电子。这个过

程就是施主电离。

n型半导体的能带图如图所示：其费米能级位于禁带上方

7、什么叫受主什么叫受主电离受主电离前后有何特征试举例说明之，

并用能带图表征出p型半导体。

解：半导体中掺入受主杂质后，受主电离后将成为带负电的离子，并

同时向价带提供空穴，这种杂质就叫受主。

受主电离成为带负电的离子（中心）的过程就叫受主电离。

受主电离前带不带电，电离后带负电。

例如，在Si中掺B，B为Ⅲ族元素，而本征半导体Si为Ⅳ族

元素，P掺入B中后，B的最外层三个电子与Si的最外层四个电子配

对成为共价电子，而B倾向于接受一个由价带热激发的电子。这个过

程就是受主电离。

p型半导体的能带图如图所示：其费米能级位于禁带下方

8、掺杂半导体与本征半导体之间有何差异试举例说明掺杂对半导体

的导电性能的影响。

解：在纯净的半导体中掺入杂质后，可以控制半导体的导电特性。掺

杂半导体又分为n型半导体和p型半导体。

例如，在常温情况下，本征Si中的电子浓度和空穴浓度均为╳

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