高性能计算针对机械探伤中过渡金属掺杂Fe3O4纳米磁粉的研究.pdf

摘要

机械探伤是工业发展机械制造业中必不可少的有效途径，其对于机械高效安

全运行和安全快速发展具有重要意义。作为非侵入式机械探伤的一种，无损检测是

评估和保障机械设备完整性的先进手段，其代表方法是磁粉检测。在不破坏、不影

响机械设备前提下，磁粉检测能够探测出表面缺陷。这种方法不仅操作简易，而且

结果呈现直接。FeO磁粉能在磁场中定向移动，用于检测缺陷。但在可见光下，

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其磁痕颜色暗淡，难以与工件形成对比，且无法检出微小孔隙，影响可靠性。通过

掺杂Cu2+和Ni2+可调节电子结构和光学性质，提高对比度。进一步将FeO细化至

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纳米级别能提升对微孔的检测能力。需从电子水平上，对掺杂和纳米结构诱导的能

带结构和光学性质的微观机理进行研究。

由于Cu2+价电子的排列，很容易产生Jahn-Teller(J-T)畸变，这其中的物理机

制尚未被充分研究。MFeFeO(MCu2+，Ni2+)体系的带隙随过渡金属浓度的变

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化产生了不同的效果并且对光吸收产生了影响，有必要在原子、电子水平进行研究

说明。本文基于密度泛函理论，采用杂化交换关联泛函(HSE06)计算了FeO体结

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构的电子结构性质和光学性质。然后将过渡金属Cu2+和Ni2+掺杂FeO，计算掺杂

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之后MFeFeO(0＜x＜1)缺陷体系的电子结构和光学性质。最后将体结构的

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FeO构建成直径为1.8纳米的纳米团簇并掺杂过渡金属Cu2+，从电子的水平上解

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释纳米尺度、表面效应对FeO团簇产生效应的物理机制。

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本文主要从电子水平解释了MFeFeO的电子结构和光学性质，具体开展

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了以下研究内容：(1)对FeO电子结构和光学性质展开分析。使用HSE06时产生

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0.73eV带隙。从原子位置、键长、磁矩和态密度进行区分了八面体Fe2+、八面体

Fe3+和四面体Fe3+。(2)从电子水平，解释了Cu2+产生J-T畸变的物理机制。在Cu2+

进行掺杂时，结果中出现了两种不同类型的J-T畸变。分波态密度(PDOS)验证了

2+

当Cu未占据电子在2上时，会发生压缩型八面体；而当未占据电子在22上

−

2+6212+

时，会发生伸长型八面体。压缩型Cu的电子排布(2)(2−2)(2)，拉长型Cu

612

的电子排布()(22)(2)。(3)从电子水平上解释了MFeFeO的能带结

2−x1-x24

构随浓度变化