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硅基晶圆制造单位产品能源消耗限额

1范围

本文件规定了硅基晶圆制造单位产品能源消耗限额的能源限额等级、技术要求、统计范围和方法、计算方法。

本文件适用于硅基晶圆制造单位产品能耗的计算、考核，以及对新（改、扩）建项目的能耗控制。

本文件不适用于太阳能硅基晶圆制造，也不适用于直径12吋以上、工艺制程28nm以下的硅基晶圆制造。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T2589综合能耗计算方法

GB/T12723单位产品能源消耗限额编制通则

GB17167用能单位能源计量器具配备和管理通则

3术语和定义

GB/T2589和GB/T12723界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

硅基晶圆制造产品综合能耗comprehensiveenergyconsumptionforoutputofsiliconwaferfabrication

统计期内，用于生产合格硅基晶圆制造所消耗的各种能源，按照规定的计算方法和单位分别折算后的总和。

3.2

硅基晶圆制造单位产品综合能耗comprehensiveenergyconsumptionforunitoutputofsiliconwaferfabrication

统计期内，硅基晶圆制造产品综合能耗与合格产品产量的比值。

3.3

产能利用率capacityutilization

企业生产线实际年合格晶圆产品的产出与生产线具备的的年产能力的百分比。

4能耗限额等级

硅基晶圆制造单位产品能耗限额等级见表1，其中1级能耗最低。

表1硅基晶圆制造单位产品能耗限额等级单位为kWh/cm

晶圆直径

单位产品能耗限额

1级

2级

3级

5吋（125mm）

≤0.51

≤0.63

≤0.79

6吋（150mm）

≤0.59

≤0.74

≤0.93

8吋（200mm）

≤0.89

≤1.11

≤1.39

12吋（300mm）

≤1.78

≤2.23

≤2.79

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5技术要求

5.1能耗限定值

现有硅基晶圆制造企业单位产品能耗限定值应不大于表1中3级。

5.2能耗准入值

新（改、扩）建硅基晶圆制造企业单位产品能耗准入值应不大于表1中2级。

5.3能耗先进值

现有和新（改、扩）建硅基晶圆制造企业宜采用先进技术，使单位产品能耗达到先进水平，不大于表1中1级。

6统计范围和方法

6.1统计范围

6.1.1硅基晶圆制造能耗统计范围包括生产系统、辅助生产系统、附属生产系统的各种能源消耗量，不包括外延工序和氮气、氧气、氢气、氩气、氦气等大宗气体能耗,不包括基建、技改等项目建设消耗和生产界区向外输出的能源量。

6.1.2生产系统是指从硅基圆片和能源进入生产界区开始，到制造成为合格硅基晶圆产品并进入成品库为止的整个工艺加工过程。

注：硅基晶圆制造工艺加工过程主要包括：以硅基圆片衬底，通过掺杂(包括扩散和离子注入)、沉积（包括物理气相沉积、化学气相沉积、外延生长）、光刻（包括衬底准备、涂胶、软烘干、对准和曝光、曝光后显影、烘焙）、蚀刻（包括化学刻蚀、等离子体刻蚀）、去胶、化学机械平坦化等，经过多次类似的工艺加工过程，形成晶体管等元器件图形结构，并通过金属化连接以构成某种预期的电气功能，通过测试最终形成为硅基晶圆成品。

6.1.3辅助生产系统是指为生产系统服务的过程、设施和设备，包括供水、供电、供气、供热、制冷、维修、照明、库房和厂内原料场所以及安全、环保、节能等装置及设施。

6.1.4附属生产系统能耗是指为生产系统配置的生产指挥系统和为生产、技术服务的职能部门和单位的设施和设备，包括各类办公室、操作室、休息室、更衣室、原料检验、成品检测等设施和设备。

6.2统计方法

6.2.1采用能源计量器具对统计期内的能耗数量进行计量、统计，不得重计和漏计，能源计量器具应符合GB17167中的相关规定。

6.2.2各种能源应按热值统一折算为电（当量值），有实测条件的，以企业在统计期内实测的热值为准，没有实测条件的，采用GB/T2589表A.1、表A.2、表B.1中给定的能源折标准煤系数折算。

6.2.3统计期为一个自然年。

6.2.4对确属无法分开计算的共用能源，应按GB/T2589的规定按产量与能耗量的比例进行分摊计算。

6.2.5当产能利用率小于80%时，设立晶圆制造产能利用率能耗修正系数，见表2。

表2