广藿香脱毒苗生产技术规程.docxVIP

1

T/GDSMMxxxx-2022

广藿香脱毒苗生产技术规程

1范围

本标准规定了广藿香脱毒苗生产过程中的术语和定义、培养基制备、组培室消毒灭菌、广藿香组培苗生产等方面的技术规程。

本标准适用于广藿香组织培养繁殖健康种苗。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

DB15/T1939—2020文冠果组织培养育苗技术规程

NY/T391绿色食品产地环境质量

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

外植体explant

植物组织培养中作为离体培养材料的器官或组织的片段。外植体通常选择生长健壮的无病虫的植株上的正常器官或组织。

3.2

接种inoculation

在无菌条件下将表面灭菌后的外植体或继代、生根组培材料接入培养基的过程。

4培养基配制

4.1培养基配方

4.1.1制备MS培养基，具体成分见附录A中的表A.1。

4.1.2制备用于不定芽诱导的培养基，配方为：在所述MS培养基上添加6-苄氨基嘌呤（6-BA）和萘乙酸（NAA）。在不定芽诱导培养基中6-苄氨基嘌呤（6-BA）的浓度为1.0mg/L，萘乙酸（NAA）的浓度为0.2mg/L。

4.1.3制备用于继代增殖的培养基，配方为：在所述MS培养基的基础上添加6-苄氨基嘌呤（6-BA）和萘乙酸（NAA）。在继代增殖培养基中6-苄氨基嘌呤（6-BA）的浓度为1.0mg/L～3.0mg/L，萘乙酸（NAA）的浓度为0.2mg/L。

4.1.4制备用于无菌生根的培养基，配方为：在所述MS培养基的基础上添加吲哚丁酸（IBA）

和萘乙酸（NAA），在生根培养基中吲哚丁酸（IBA）的浓度为0.2mg/L，萘乙酸（NAA）的浓度为1.0mg/L。

2

T/GDSMMxxxx-2022

4.2培养基母液及培养基配制

按照DB15/T1939—2020执行。

4.3环境与器具消毒灭菌

按照DB15/T1939—2020执行。

5组织培养技术

5.1外植体及其消毒

5.1.1选取生长健康的广藿香嫩茎作为外植体，用中性洗涤剂洗涤外植体，以去除表面的污垢，去除多余的叶片，干净纸巾吸干表面水分。

5.1.2在超净工作台上，先用70%酒精浸泡30s，再用无菌水冲洗3次，每次3min。

5.1.3转入0.1%的升汞溶液中消毒8min～12min，最后用无菌水洗涤3次～5次，每次5min，用无菌纸巾吸干水份，得到消毒外植体。

5.2茎尖剥离

5.2.1在超净工作台上，将消毒好的外植体，切除多余部分，保留含芽部分。

5.2.2置于30倍～40倍解剖镜下，用无菌解剖针小心地剥除顶芽的外部的叶片，直到露出位于叶原基的生长锥后，用解剖针切取大小约0.1mm～0.3mm的茎尖生长点。

5.3不定芽诱导

5.3.1在超净工作台内，将剥离好的生长点接种于用于不定芽诱导的培养基。

5.3.2每瓶接1个外植体，分布均匀，封好瓶口后，注明品种代号、接种人员及日期等。

5.3.3放至培养室培养，诱导培养18d～22d，得到广藿香不定芽。

5.3.4诱导培养条件如下：温度为26℃±3℃,湿度为80%～90%，光照时间为14h/d，光照强度为8001x～12001x。

5.4继代增殖

5.4.1将不定芽诱切除叶片，接入继代培养基，置于培养室培养，继代培养20d～25d，得到广藿香丛芽。

5.4.2接种数量根据培养容器的大小决定，要求材料摆布均匀，间距1.0cm～2.0cm。

5.4.3继代增殖培养条件如下：温度为26℃±3℃,湿度为50%～65%，光照时间为14h/d，光照强度为8001x～12001x。

5.5无菌生根

5.5.1当继代增殖培养的广藿香无菌苗生长到3.0cm～5.0cm时，进行切繁，并保持每株均有一个不定芽，接入用于无菌生根的培养基中进行生根培养15d～20d，得到广藿香幼苗。

5.5.2接种数量根据培养容器的大小决定，要求材料摆布均匀，间距1.0cm～2.0cm。无菌苗在培养基中的插入深度为5mm～8mm，保持壮苗直立。

5.5.3生根培养条件如下：温度为28℃±3℃,湿度为70%～85%，光照时间为14h/d，光照强度为8001x～12001x。

5.6炼苗

3

T/GDSMMxxxx-