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微电子器件与电路实验报告
姓名学号1415212003合作人
实验时间2016.11实验成绩教师签名
实验名称实验四MOSFET电学特性测试
实验设备(1)计算机(2)Multisim12
1.MOSFETIV特性测试以及温度对IV特性的影响
实验目的2.MOSFETRDS(线性区)和GM(饱和区)随栅源电压变化特性曲线
3.MOSFETKn（Kp）测试4.MOS栅电容CV特性测试
1.MOSFETIV特性测试(IV分析仪，DC扫描)
2.温度对MOSFETIV特性影响
实验内容
3.RDS-VGS曲线测试，GM-VGS曲线测试
4.Kn(Kp)测试5.MOSFETCV特性测试
实验报告要求
1.实验前按要求阅读器件说明文档，阅读实验操作文档，熟悉实验过程及操作步骤
2.按实验报告要求操作、记录数据(波形)、处理数据(波形)
实验记录：
实验4.1MOSFETIV特性测试(IV分析仪)
使用IV分析仪对增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOSIV特性分析
实验4.2MOSFETIV特性测试(DC分析)
使用DC扫描对增强型NMOS、增强型PMOS、耗尽型NMOSIV特性分析
实验4.3温度对MOSFETIV特性的影响
使用温度扫描分析对增强型NMOS、增强型PMOS进行扫描，分析温度对器件IV特性影响
实验4.4MOSFETRDS测试
测试小信号MOSFET和功率MOSFET源漏电阻随VGS变化曲线
实验4.5GM随VGS变化曲线
测试小信号MOSFET在饱和区条件下，GM随VGS变化曲线
实验4.6MOSFETKn和Kp测试
设计一种方案，用于测试MOSFET的Kn和Kp
实验4.7MOSFET栅电容CV特性测量
设计一种方案，用于测试MOSFET的栅电容的CV特性曲线
微电子器件与电路实验(电子)LAB4MOSFET电学特性测试实验实验报告1
实验4.1MOSFETIV特性测试(IV分析仪)
①2N7002IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VDS=6V时
每一个VGS对应的电流【波形打印出来必须清晰】。
②PHP125IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VSD=6V时
每一个VSG对应的电流【波形打印出来必须清晰】。
③BSS129IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VDS=6V时
每一个VGS对应的电流【波形打印出来必须清晰】。
微电子器件与电路实验(电子)LAB4MOSFET电学特性测试实验实验报告2
实验4.2MOSFETIV特性测试(DC扫描)
①2N7002IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VDS=6V时
每一个VGS对应的电流【波形打印出来必须清晰】。
②PHP125IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VSD=6V时
每一个VSG对应的电流【波形打印出来必须清晰】。
③BSS129IV特性曲线波形放在下面虚方框中，需按照要求处理波形，并抓取VDS=6V时
每一个VGS对应的电流【波形打印出
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