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泓域咨询MACRO/氮化镓（GaN）项目可行性研究报告

氮化镓（GaN）项目

可行性研究报告

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泓域咨询MACRO/氮化镓（GaN）项目可行性研究报告

摘要

氮化镓（GaN）是极其稳定的化合物，又是坚硬和高熔点材料，熔

点为1700℃。GaN具有高的电离度，在三五族化合物中是最高的（0.5

或0.43）。在大气压下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构，因为其硬

度大，所以它又是一种良好的涂层保护材料。GaN具有出色的击穿能力、

更高的电子密度和电子速度以及更高的工作温度。GaN的能隙很宽，为

3.4eV，且具有低导通损耗、高电流密度等优势。

GaN是一种III/V直接带隙半导体，通常用于微波射频、电力电子

和光电子三大领域。具体而言，微波射频方向包含了5G通信、雷达预

警、卫星通讯等应用；电力电子方向包括了智能电网、高速轨道交通、

新能源汽车、消费电子等应用；光电子方向包括了LED、激光器、光电

探测器等应用。

自20年前出现首批商业产品以来，GaN已成为射频功率应用中

LDMOS和GaAs的重要竞争对手，其性能和可靠性不断提高且成本不断

降低。第一批GaN-on-SiC和GaN-on-Si器件几乎同时出现，但GaN-

on-SiC技术更加成熟。目前在射频GaN市场上占主导地位的GaN-on-

SiC突破了4GLTE无线基础设施市场，并有望在5G的Sub-6GHz实施方

案的RRH（RemoteRadioHead）中进行部署。

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GaN在射频市场更关注高功率、高频率场景。由于GaN在高频下具

有较高的功率输出和较小的面积，GaN已被射频行业广泛采用。随着

5G到来，GaN在Sub-6GHz宏基站和毫米波（24GHz以上）小基站中找

到一席之地。GaN射频市场将从2018年的6.45亿美元增长到2024年

的约20亿美元，这主要受电信基础设施和国防两个方向应用推动，卫

星通信、有线宽带和射频功率也做出了一定贡献。

随着新的基于GaN的有源电子扫描阵列（AESA）雷达系统的实施，

基于GaN的军用雷达预计将主导GaN军事市场，从2018年的2.7亿美

元增长至2024年的9.77亿美元，CAGR达23.91％，具有很大的增长

潜力。GaN无线基础设施的市场规模将从2018年的3.04亿美元增长至

2024年的7.52亿美元，CAGR达16.3%。GaN有线宽带市场规模从2018

年的1550万美元增长至2024年的6500万美元，CAGR达26.99%。GaN

射频功率市场规模从2018年的200万美元增长至2024年的10460万

美元，CAGR达93.38%，具有很大的成长空间。

在基站收发器（BTS）生态系统中引入GaN可大幅提高前端效率，

使其成为适用于高功率和低功耗应用的新技术，GaN-on-Si有望挑战基

站收发器（BTS）和射频功率市场中现有的LDMOS方案。为了满足多样

化的5G要求，GaN制造商需要提供涵盖多种频率和功率水平的选择。

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GaN技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出等应用。2005

年电力电子领域管理了约30％的能源，预计到2030年，这一数字将达

到80%。这相当于节约了30亿千瓦时以上的电能，这些电能可支持30

多万个家庭使用一年。从智能手机充电器到数据中心，所有直接从电

网获得电力的设备均可受益于GaN技术，从而提高电源管理系统的效

率和规模。

GaN在未来几年将在许多应用中取代硅，其中，快充是第一个可以

大规模生产的应用。在600伏特左右的电压下，GaN在芯片面积、电路

效率和开关频率方面的表现明显好于硅，因此在壁式充电器中可以用

GaN来替代硅。5G智能手机的屏幕越来越大，与之对应的是手机续航

的需求越来越高，这意味着电池容量的增加。GaN快充技术