电子科技大学集成电路实验报告――模拟集成电路 .pdfVIP

电子科技大学集成电路实验报告――模拟集成电路

CMOS模拟集成电路设计及HSPICE使用

实验学时：4学时

实验一CMOS工艺参数测量一、实验目的：

学习和掌握EDA仿真软件Hspice；了解CMOS工艺技术及元器件模

型，掌握MOSFET工作原理及其电压电流特征；通过仿真和计算，获得

CMOS中NMOS和PMOS的工艺参数kp,kn,p,n,Vtp,Vtn，为后续实验作

准备。

二、实验内容：

1）通过Hspice仿真，观察NMOS和PMOS管子的I-V特性曲线；

2）对于给定长宽的MOSFET，通过Hspice仿真，测得几组栅-源电

压、漏-源电压和漏-源电流数据，代入公式IDSn

1W

Kn()n(VGSVtn)2(1nVDS)，求得对应的工艺参数2L

kp,kn,p,n,Vtp,Vtn。

三、实验结果：

本实验中所测试的NMOS管、PMOS管L=1u，W由学号确定。

先确定W。W等于学号的最后一位，若学号最后一位=0，则

W=10u。所以，本实验中所测试的NMOS管、PMOS管的尺寸为：

（1）测0.5um下NMOS和PMOS管的I-V特性曲线

所用工艺模型是TSMC0.50um。

所测得的Vgs=1V时，NMOS管Vds从0V到2.5V变化时的I-V特性

曲线为：

所测得的Vds=1.2V时，NMOS管Vgs从0V到2.5V变化时的I-V特

性曲线为：

所测得的Vsg=1V时，PMOS管Vsd从0V到2.5V变化时的I-V特性

曲线为：

所测

得的Vsd=1.2V时，PMOS管Vsg从0V到2.5V变化时的I-V特性曲

线为：

（2）计算TSMC0.50um工艺库下mos管对应的工艺参数

测试NMOS管相关参数，Hspice中仿真用源文件（.sp文件）为：

NOMSI-VCharacteristicM1OUTIN00CMOSnL=1UW=8U

VININ01VOUTOUT01.2

.*****LISTNODEPOST*.DCVOUT02.50.1.DCVIN02.50.1

*.DCVOUT02.50.1VIN0.81.00.2.PRINTDCI(M1)

.LIB“C:\synopsys\project\tsmc_050um_model.lib

CMOS_MODELS.END

所测得的NMOS管电流曲线为：

所测的数据如下表：

根据公式IDSn

1Kn()n(VGSVtn)2(1nVDS)，计算kn,n,Vtn，分别为：2L

kn11910-6,n0.028,Vtn1.37

测试PMOS管相关参数，Hspice中仿真用源文件（.sp文件）为：

POMSI-VCharacteristic

M1OUTINVddVddCMOSPL=1UW=8U

VINVddIN1VOUTVddOUT1.2

.*****LISTNODEPOST*.DCVOUT02.50.1.DCVIN02.50.1

*.DCVOUT02.50.1VIN0.81.00.2

.PRINTDCI(M2)

.LIBC:\synopsys\project\tsmc_050um_model.lib

CMOS_MODELS.END

所测得的PMOS管电流曲线为：

所测的数据如下表：

计算TSMC0.50um工艺中pmos参数pptp，分别为：