增强型和耗尽型场效应晶体管 .pdfVIP

增强型和耗尽型场效应晶体管

总的来说，场效应晶体管可区分为耗尽型和增强型两种。耗尽型

场效应晶体管(D-FET)就是在0栅偏压时存在沟道、能够导电的FET;增

强型场效应晶体管(E-FET)就是在0栅偏压时不存在沟道、不能够导电

的FET。

这两种类型的FET各有其特点和用途。一般，增强型FET在高速、

低功耗电路中很有使用价值;并且这种器件在工作时，它的栅偏电压的

极性与漏极电压的相同，则在电路设计中较为方便。

(1)MOSFET：

对于Si半导体器件，由于Si/SiO2界面上电荷(多半是正电荷——

Na+沾污所致)的影响，使得n型半导体表面容易产生积累层，而p型

半导体表面容易反型(即出现表面反型层)，所以比较容易制造出p沟道

的增强型MOSFET(E-MOSFET)，而较难以制作出n沟道的E-

MOSFET。正因为如此，故在早期工艺水平条件下，常常制作的是p

沟道的E-MOSFET。

当然，随着工艺技术水平的提高，现在已经能够很好地控制半导

体的表面态以及表面电荷，从而就能够方便地制作出n沟道、或者p

沟道的D-MOSFET或者E-MOSFET，以适应各种应用的需要。

MOSFET的导电是依靠表面沟道来进行的，而在0栅偏压下能否

产生沟道，则与半导体衬底的掺杂浓度直接有关。若采用较低掺杂浓

度的衬底，就可以获得D-MOSFET;采用较高掺杂浓度的衬底，就可以

获得E-MOSFET。

(2)JFET：

对于结型场效应晶体管(JFET)，最常见到的是耗尽型JFET(D-

JFET);一般，不使用增强型JFET(E-JFET)。这主要是由于长沟道E-JFET

在使用时较难以产生出导电的沟道、从而导通性能不好的缘故。不过，

由于高速、低功耗电路中应用的需要，有时也需要采用E-JFET。

JFET导电的沟道在体内。这两种晶体管在工艺和结构上的差别主

要在于其沟道区的掺杂浓度和厚度。D-JFET的沟道的掺杂浓度较高、

厚度较大，以致于栅pn结的内建电压不能把沟道完全耗尽;而E-JFET

的沟道的掺杂浓度较低、厚度较小，则栅pn结的内建电压即可把沟道

完全耗尽。

但是，对于短沟道E-JFET，情况则有所不同，因为这种晶体管的

漏极电压可以作用到源极附近，使得沟道中的势垒降低，所以能够形

成导电沟道。这种E-JFET从本质上来说也就是静电感应晶体管。

(3)MESFET：

金属栅极半导体场效应晶体管(MESFET)是通过栅极Schottky势

垒下面耗尽层厚度的变化来控制导电沟道宽度、并从而控制输出源-漏

电流的。

MESFET的导电沟道是金属栅极下面的未被耗尽的半导体层——

沟道层。如果沟道层的掺杂浓度较高、厚度较大，则在0栅偏压下，

栅极Schottky势垒的内建电压不足以耗尽整个沟道层，即存在沟道，

这就是耗尽型MESFET(D-MESFET);相反，如果沟道层的掺杂浓度较低、

厚度较薄，则在0栅偏压下，栅极Schottky势垒的内建电压就可以耗

尽整个沟道层，即不存在沟道，这就是增强型MESFET(E-MESFET)。

(4)HEMT：

高电子迁移率晶体管(HEMT)是利用调制掺杂突变异质结中的二维

电子气(2-DEG)——高迁移率的二维电子来工作的，导电沟道也就是

2-DEG薄层。控制2-DEG的浓度(面密度)，即可控制输出源-漏电流的

大小。在0栅偏压下，有否2-DEG，也就是耗尽型与增强型器件的根

本区别。

在HEMT中，2-DEG出现在突变的调制掺杂异质结中，宽禁带半

导体一边掺有施主杂质，窄禁带半导体一边不掺杂(即为本征半导体)。

对于GaAs体系的HEMT，宽禁带半导体是n型AlGaAs，窄禁带半导

体是i-GaAs;金属栅极的下面就是n型AlGaAs层——称为顶层，它们

形成Schottky势垒(势垒高度一般为1eV左右)。如果n型AlGaAs顶

层的掺杂浓度适当高、厚度