基于场效应晶体管结构的气体传感器及其制备方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN103500798A

(43)申请公布日2014.01.08

(21)申请号CN201310397762.5

(22)申请日2013.09.04

(71)申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

地址215123江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号

(72)发明人王凤霞潘革波

(74)专利代理机构深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人宋鹰武

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

基于场效应晶体管结构的气体传感

器及其制备方法

(57)摘要

本发明公开了一种基于场效应晶体

管结构的气体传感器及其制备方法。该气

体传感器包括基底层、栅绝缘层、有源

层、源电极和漏电极，所述栅绝缘层与有

源层连接，栅