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场效应晶体管参数

场效应晶体管（FieldEffectTransistor，简称FET）是一种三端器件，常见的有金属

氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅场效应晶体管（IGFET，包括MOSFET的一

种）。以下是场效应晶体管的一些重要参数：

1.栅极-源极电压（Vgs）：栅极与源极之间的电压，它控制了场效应晶体管的导电状

态。

2.漏极-源极电压（Vds）：漏极与源极之间的电压，决定了场效应晶体管的工作区域，

包括饱和区和截止区。

3.漏极电流（Id）：从漏极到源极的电流，是场效应晶体管的输出电流，由Vgs和Vds

决定。

4.栅源电流（Igs）：流入或流出栅极的电流。

5.漏极电阻（Rd）：在特定工作点下，漏极电流和漏极-源极电压之间的比值。

6.跨导（Transconductance，gm）：栅极-源极电压变化引起的漏极电流变化的比率。

7.截止电压（Vth）：在栅极-源极电压为零时，漏极电流等于零的电压。

8.饱和电压（Vsat）：在工作区域为饱和时，漏极-源极电压的最小值。

9.电流增益（β）：漏极电流与栅源电流的比值。

10.输入电容（Ciss）：输入端（栅极）与输出端（漏极和源极）之间的总电容。

这些参数在设计和分析场效应晶体管电路时非常重要，工程师们使用它们来确定器件的性

能和适用范围。不同类型的场效应晶体管会有一些额外或不同的参数，具体取决于器件的结构

和工作原理。