第2章半导体三极管及基本放大电路(精).pdfVIP

第2章半导体三极管及基本放大电路

1．温度升高时，晶体管的电流放大系数和反向饱和电流I______，正向结压降V______；

CBOBE

共射输入特性曲线将______，输出特性曲线将______，而且输出特性曲线之间的间隔将

______。

A．变大，变小，左移，上移，增大

B．变大，变大，右移，上移，增大

C．变大，变小，左移，下移，增大

D．变小，变大，右移，上移，增大

2．现有八种半导体器件，其型号分别是3AX22，2CZ11，3DG6，2AP9，3DJ13，2CP10，

3DD1，2CW11。说明哪些是普通硅二极管，哪些是普通锗二极管，哪些是硅稳压管。

A．2AP9二极管，2CZ11锗二极管，2AP9硅稳压管

B．2AP9硅二极管，2CP10锗二极管，2CW11硅稳压管

C．2CW11硅二极管，2AP9锗二极管，2CP10硅稳压管

D．2CP10硅二极管，2AP9锗二极管，2CW11硅稳压管

3．三极管的极限参数P=150mW，I=100mA，V=30V，若其工作电压V=10V，

CMCM(BR)CEOCE

则工作电流不得超过______mA；若V=1V，则工作电流不得超过______mA；若工作电流

CE

I=1mA，则工作电压V不得超过______V。

CCE

A．15；100；150

B．15；150；150

C．15；150；30

D．15；100；30

4．对双极型晶体管下列说法正确的是()

A．发射极和集电极可以调换使用，因为双极型晶体管发射极和集电极的结构对称

B．发射极和集电极可以调换使用，因为双极型晶体管发射极和集电极的电流基本相同

C．发射极和集电极不能调换使用，因为双极型晶体管发射极和集电极的结构不对称，发射

极掺杂浓度比集电极高

D．发射极和集电极不能调换使用，因为双极型晶体管发射极和集电极的结构不对称，发射

极掺杂浓度比集电极低

5．晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数和在放大区工作时的关系是：

A．饱和区的电流放大系数大于放大区工作时的电流放大系数

B．饱和区的电流放大系数等于放大区工作时的电流放大系数

C．饱和区的电流放大系数小于放大区工作时的电流放大系数

D．饱和区的电流放大系数与放大区的电流放大系数的关系不能确定

6．对于晶体基区的叙述下面正确是是。

A．掺杂浓度低而且做得很厚

B．掺杂浓度高而且做得很厚

C．掺杂浓度高而且做得很薄

D．掺杂浓度低而且做得很薄

7．在晶体管放大电路中，测得晶体管的三个电极的电位如图所示。试判断：管子的类型

为（NPN、PNP），三个电极：①为，②为，③为。

A．NPN,c,e,b

B．PNP,c,e,b

C．NPN,b,e,c

D．PNP,b,e,c

8．在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图所示。由此可知：

(1)电极①、②、③分别为____。

(2)约为____。

(3)管子类型为____。

A．c,e,b,40,PNP

B．c,e,b,40,NPN

C．b,e,c,50,PNP

D．b,e,c,50,NPN

9．设所有的二、三极管均为硅管，判断下图中各三极管的工作状态。

正确答案为。

A．T截止，T饱和，T截止

123

B．T截止，T饱和，T倒置

123

C．T截止，T放大，T截止

123

D．T放大，T放大，T截止

123

10．给下图中各场效应管填上正确的名称。

①（）