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MOSFET场效应晶体管的基础知识介绍

MOSFET（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor）

也叫金属氧化物半导体场效应晶体管，简称MOS管，是一种场效应管。

MOSFET成为当前最广泛应用的半导体器件，广泛应用于各种电子设

备中，包括电源、电脑、电视等。

MOSFET场效应晶体管的结构

MOSFET场效应晶体管基本上构成有源区(source)、漏区(drain)

和栅区(gate)三部分。在N沟道MOSFET中，一个P型衬底(substrate)

上，N型沉积形成源区和漏区，其间沉积绝缘材料（通常是氧化硅）

形成栅极。通过改变栅极的电压来改变沟道中的载流子浓度，从而改

变源漏间的电导。

MOSFET场效应晶体管工作原理

在N沟道MOSFET中，当栅极电压(Vgs)高于阈值电压(Vth)时，

会在源和漏之间形成一个N型导电沟道。在这种情况下，沟道上的电

子可以自由的由源极流向漏极，整个器件则由阻断状态变为导通状态。

当源漏电压足够大时，即使增加栅压，也不再增加源漏电流，此时

MOSFET处于饱和状态。

MOSFET场效应晶体管分类

按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式：

MOS管又分耗尽型与增强型，所以MOS场效应晶体管分为N沟耗尽型

和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类：N沟道消耗型、N沟道增强型、

P沟道消耗型、P沟道增强型。

MOSFET场效应晶体管主要特性

高输入阻抗：MOS管栅电极和源漏区之间有绝缘层，只有微弱的

栅电流，所以MOSFET的输入阻抗很高，接近于无穷大。

低输出阻抗：由于MOSFET是电压控制器件，其源漏间电流可随输

入电压的改变而改变，所以其输出阻抗很小。

恒流性：MOSFET在饱和区工作时，即使源漏电压有所变化，其电

流也几乎不变，因此MOSFET具有很好的恒流性。

MOSFET的应用

开关电路：由于MOSFET具有开关速度快、功耗小、驱动电压低等

特性，因此在开关电路中有广泛应用，尤其在高频开关电源中使

用。

模拟电路：例如在运算放大器中，MOSFET的高输入阻抗有利于提

高运放的输入阻抗。

数字电路：在具有高集成度的数字逻辑电路、微处理器、存储芯片等

中，均广泛使用了MOSFET。

以上是对于MOSFET基本知识的一个初步介绍，MOSFET是一个深度而

广泛的学问，还有很多深入的知识需要通过专业书籍和学习来理解。