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电⼦电路基础习题册参考答案第⼀章

电⼦电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术

第⼀章常⽤半导体器件

§1-1晶体⼆极管

⼀、填空题

1、物质按导电能⼒的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三⼤类，最常⽤的半导体材料是硅和锗。

2、根据在纯净的半导体中掺⼊的杂质元素不同，可形成N型半导体和P型半导体。

3、纯净半导体⼜称本征半导体，其内部空⽳和⾃由电⼦数相等。N型半导体⼜称电⼦型半导体，其内部少数载流⼦是空⽳；P

型半导体⼜称空⽳型半导体，其内部少数载流⼦是电⼦。

4、晶体⼆极管具有单向导电性，即加正向电压时，⼆极管导通，加反向电压时，⼆极管截⽌。⼀般硅⼆极管的开启电压约为

0.5V，锗⼆极管的开启电压约为0.1V；⼆极管导通后，⼀般硅⼆极管的正向压降约为0.7V,锗⼆极管的正向压降约为0.3V。

5.锗⼆极管开启电压⼩，通常⽤于检波电路，硅⼆极管反向电流⼩，在整流电路

及电⼯设备中常使⽤硅⼆极管。

6.稳压⼆极管⼯作于反向击穿区，稳压⼆极管的动态电阻越⼩，其稳压性能好。

7在稳压电路中，必须串接限流电阻，防⽌反向击穿电流超过极限值⽽发⽣热击穿损坏稳压管。

8⼆极管按制造⼯艺不同，分为点接触型、⾯接触型和平⾯型。

9、⼆极管按⽤途不同可分为普通⼆极管、整流⼆极管、稳压⼆极管、

开关、热敏、发光和光电⼆极管等⼆极管。

10、⼆极管的主要参数有最⼤整流电流、最⾼反向⼯作电压、反向饱和电流和最⾼⼯作频率。

11、稳压⼆极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。

12、图1-1-1所⽰电路中，⼆极管V1、V2均为硅管，当开关S与M相接时，A点的电位为

⽆法确定V,当开关S与N相接时，A点的电位为0V.

13图1-1-2所⽰电路中，⼆极管均为理想⼆极管，当开关S打开时，A点的电位为10V、

流过电阻的电流是4mA；当开关S闭合时，A点的电位为0V，流过电阻的电流为2mA。

14、图1-1-3所⽰电路中，⼆极管是理想器件，则流过⼆极管V1的电流为0.25mA，流过V2的电流为0.25mA,输出电压U0为

+5V。

15、光电⼆极管的功能是将光脉冲信号转换为电信号，发光⼆极管的功能是将

电信号转换为光信号。

16、⽤数字式万⽤表测量⼆极管，应将功能开关置于⼆极管挡，将⿊表笔插⼊com

插孔，接⼆极管的负极；红表笔插⼊V,Ω插孔，接⼆极管的正极，其显⽰的读数为⼆极管的正向压降。

⼀、判断题

1、在外电场作⽤下，半导体中同时出现电⼦电流和空⽳电流。

（√）

2、P型半导体中，多数载流⼦是电⼦，少数载流⼦是空⽳。（×）

3、晶体⼆极管有⼀个PN结，所以有单向导电性。（√）

4、晶体⼆极管的正向特性也有稳压作⽤。（√）

5、硅稳压管的动态电阻⼩，则稳压管的稳压性能愈好。（√）

6、将P型半导体和N型半导体⽤⼀定的⼯艺制作在⼀起，其交界处形成PN结。（√）

7、稳压⼆极管按材料分有硅管和锗管。（×）

8、⽤万⽤表欧姆挡的不同量程去测⼆极管的正向电阻，其数值是相同的。（×）

9、⼆极管两端的反向电压⼀旦超过最⾼反向电压，PN结就会击穿。（）

10、⼆极管的反向电阻越⼤，其单向导电性能越好。（×）

11、⽤500型万⽤表测试发光⼆极管，应选R×10K挡。（√）

三、选择题

1、当环境温度升⾼时，晶体⼆极管的反向电流将（A）。

A．增⼤B.减⼩C.不变

2、测量⼩功率晶体⼆极管性能好坏时，应把万⽤表欧姆档拨到

（A）。

A.R×100或R×1KB.R×1C.R×

10K

3、半导体中的空⽳和⾃由电⼦数⽬相等，这样的半导体称为

（B）。

A.P型半导体

B.本征半导体C、N型半导体

4、稳压管的稳压性能是利⽤（B）实现的。

A．PN结的单向导电性B.PN结的反向击穿特性

C．PN结的正向导通特性

5、电路如图1-1-4所⽰，已知两个稳压管的UZ1=7V，UZ2=5V它们的正向压降均为0.7V，则输出电压U0为（C）

A.12V

B.5.7V

C.7.7V

D.7V

6、在图1-1-5所⽰的电路中，流过⼆极管的电流I1、I2分别是（D）。

A.I1=8mA,I2=0

B.I1=2mA

C.I1=0,I2=6mA

D.I1=0,I2=8mA

7、⼆极管的正向电阻（B）反向电阻。

A.⼤于

B.⼩于

C.等于

D.不确定

8、电路如图1-1-6所⽰，V为理想⼆极管，则⼆极管的状态为（A）。

A.导通

B.截⽌

C.击穿

9、上题中