- 1、本文档共19页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
ICS
6
CCS
团体标准
T/CEMIA-
×××××××
半导体单晶硅生长用石英坩埚
Quartzcrucibleforsemiconductormonosilicongrowth
(征求意见稿)
本稿完成日期:2020年12月10日
××××-××-××发布××××-××-××实施
中国电子材料行业协会发布
T/CEMIAXXX-XXXX
前言
本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规则起
草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由中国电子材料行业协会提出并归口。
本文件起草单位:内蒙古欧晶科技股份有限公司、锦州佑鑫石英科技有限公司、江西中昱新材料科
技有限公司。
本文件主要起草人:
1
T/CEMIAXXX-XXXX
半导体单晶硅生长用石英坩埚
1范围
本文件界定了半导体单晶硅生长用石英坩埚的术语和定义,并规定了尺寸偏差、技术要求、试验
方法、检验规则、标志、包装、运输、储存。
本文件适用于以高纯石英砂(成份:二氧化硅)为原料,采用电弧熔融法生产的用于半导体单晶硅
生长用石英坩埚。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,
仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本
文件。
GB/T2828.1-2012计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T3284-2015石英玻璃化学成分分析方法
JC/T2205-2014石英玻璃术语
T/CEMIA004-2018光伏单晶硅生长用石英坩埚
3术语和定义
JC/T2205-2014、T/CEMIA004-2018界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1微气泡micro-bubble
直径小于0.5mm的气泡。
[来源:T/CEMIA004-2018光伏单晶硅生长用石英坩埚,3.1,有修改]
3.2白斑vaporspots
目视可见的灰色、乳白色、粗糙或平滑的斑点。
[来源:T/CEMIA004-2018光伏单晶硅生长用石英坩埚,3.2]
3.3凸起bulge
高出石英坩埚内表面和外表面的点。
2
T/CEMIAXXX-XXXX
[来源:T/CEMIA004-2018光伏单晶硅生长用石英坩埚,3.3]
3.4圆度偏差circularitytolerance
石英坩埚圆柱体同一横截面上最大与最小直径之差。
[来源:T/CEMIA004-2018光伏单晶硅生长用石英坩埚,3.4,有修改]
3.5
文档评论(0)