石墨烯及其材料综述.pdfVIP

,它是构筑零维富勒烯、

一维碳纳米管、三维体相石墨等sp2杂化碳的基本结构单元,具有很多奇异的电子

及机械性能。自从2004年发现以来，研究者对这种材料在未来技术革命方面提出了

大量的建设性创意，石墨烯被认为是未来能够取代硅的一种新型电子材料。石墨烯

是只有一个原子厚的结晶体，具有超薄、超坚固和超强导电性等特性，其优异的电

学、热学和力学性能，在纳米电子器件、储能材料、光电材料等方面的潜在应用价值

引起了科学界新一轮的“碳”热潮。

它不仅是已知材料中最薄的一种，还非常牢固坚硬，仅仅是一个原子的厚度，

并形成了高质量的晶体格栅，石墨烯的结构，是由碳原子六角结构紧密排列构成的二

维单层石墨，是构造其他维度碳质材料的基本单元。它可以包裹形成0维富勒烯，

也可以卷起来形成一维的碳纳米管，同样，它也可以层层堆叠构成三维的石墨。

石墨烯结构非常稳定，迄今为止，研究者仍未发现石墨烯中有碳原子缺失的情

况。石墨烯中各碳原子之间的连接非常柔韧，当施加外部机械力时，碳原子面就弯曲

变形，从而使碳原子不必重新排列来适应外力，也就保持了结构稳定。

这种稳定的晶格结构使碳原子具有优秀的导电性。石墨烯中的电子在轨道中移

动时，不会因晶格缺陷或引入外来原子而发生散射。由于原子间作用力十分强，在常

温下，即使周围碳原子发生挤撞，石墨烯中电子受到的干扰也非常小。

大量制备尺寸、厚度可控的石墨烯材料对石墨烯基材料的应用具有重要的意

义。制备石墨烯可以归结为两个基本的思路：一是以石墨为原料，通过削弱以及破

坏石墨层间的范德华力来剥开石墨层从而得到石墨烯：二是基于活性碳原子的定向

组装，“限制”碳原子沿平面方向生长。基于上述思想，化学剥离法、SiC表面石墨

化法和金属表面外延法等一些新的方法相继被报道。本人通过大量的归纳总结，共

总结出以下七种方法。

机械剥离法就是利用机械力，将石墨烯片从具有高度定向热解石墨(Highly

OrientedPyrolyticGraphite,HOPG）表面剥离开来。2004年，Novoselov等⑺运用

这一简单而有效的方法，首次制备并确认石墨烯的存在。他们从石墨中剥离出石墨

片，然后将薄片的两面粘在一种特殊的胶带上，撕开胶带，就能把石墨片一分为

100ym且具有最高的质量，适用于研究材料的基本性质（导电

性）。但是低产率和尺寸不易控制等缺点使该方法仅适用于实验室的基础研究。

化学气相沉积（ChemicalVaporDeposition,CVD）是制备纳米材料的有效方

法。采用一定化学配比的反应气体为反应物，在特定激活条件下，通过气相化学反

应可在不同的基片表面生成石墨烯膜层。该方法获得的石墨烯面积大且厚度容易控

制，改变基底的类型可以与现有的半导体制造工艺兼容。常用的基底为金属如Ni,

Cu等。Kim首先在Soil/Si衬底上沉积厚度为300nm的金属Ni，然后将样品放置于

石英管内，在氩气气氛下，加热到1000°C,再通入流动的混合气体

，（C-1

（CH/H/Ar=50/65/200），最后在氩气气氛下快速冷却冷却速率为〜10.S）

［］

样品至室温，即制得石墨烯薄膜。Ruoff等9以CH+H为反应物，以Cu片为基

质合成高质量石墨烯膜。化学气相沉积法有两个明显的优势:一是此方法获得的产品

中单层石墨烯比例大。二是可以获得大尺寸的产品，从而保证了石墨烯样品的结晶

完整度。但是该方法需要使用高质量的金属基底和复杂的反应过程使其成本较高，同

时其产量较低（限于基片的大小），不利于其在电催化领域的应用。

2.1.3表面外延生长法

以SiC为基底外延生长是制备高质量石墨烯的有效方法。早在19世纪90年代