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空位缺陷对zigzag型石墨烯纳米带电子结构的影响

徐慧;张丹;陈灵娜

【摘要】Usingtheabinitiodensity-functionaltheorymethod,the

electronicstructuresofzigzaggraphenenanoribbons(ZGNRs)with

differentnumbersofcarbondefectswerecalculated.Theresultsshowthat

allofthedefectedstructuresarequasi-metallicity,andtheelectronic

structurecharacteristicsdependonthenumberofthedefectedcarbons

andunsaturateddegreeofdefectpositioninZGNRs.Thedefectedbands

canbeintroducedbythestatesofdefectsandalsotherearethreeenergy

bandsclosetoFeimilevelwhenthenumberofdefectedcarbonsisodd,

otherwisethereareonlytwoenergybandsforeven.Withtheincreaseof

thenumberofdefectedcarbons,thepeaksofdensityofstatesnearFermi

leveldecrease.%为了了解空位缺陷对zigzag型石墨烯纳米带电子结构的影响,采

用基于密度泛函理论的第一性原理,计算含不同空位碳原子数的缺陷zigzag型石墨

烯纳米带的电子结构.研究结果表明:含缺陷的zigzag型石墨烯纳米带都呈现出类

金属性的电子结构特征,其电子结构与缺失碳原子的含量及缺陷位置附近碳原子的

饱和度密切相关；缺陷的存在会引入缺陷能级,当缺失的碳原子数为奇数时,费米面

附近存在3条能级；当缺失的碳原子数为偶数时,费米面附近只有2条能级；随着

空位缺陷的增加,缺陷处碳原子的不饱和度也增加,从而费米能附近的态密度峰出现

相应衰减.

【期刊名称】《中南大学学报（自然科学版）》

【年(卷),期】2012(043)009

【总页数】7页(P3510-3516)

【关键词】zigzag石墨烯纳米带;空位缺陷;电子结构

【作者】徐慧;张丹;陈灵娜

【作者单位】中南大学物理与电子学院,湖南长沙,410083;中南大学材料科学与工

程学院,湖南长沙,410083;中南大学物理与电子学院,湖南长沙,410083;中南大学材

料科学与工程学院,湖南长沙,410083

【正文语种】中文

【中图分类】O469

人们对石墨纳米带的理论研究最早可以追溯到20世纪90年代[1−3]。然而，因为

当时受实验条件的制约，石墨纳米带并未引起广泛关注和研究。直到2004年，

Novoselov等分离出二维石墨烯[4]，制备出仅包含几个原子层的超薄石墨片甚至

单层石墨片，该材料是目前世界上最薄的物质[5−7]。近年来，石墨烯纳米带作为

一种新型的准一维碳基纳米材料，由于其具有优异的物理化学性能，在纳米电子学

器件上具有广阔的应用前景。石墨烯纳米带可以分为2种：锯齿型（zigzag）石

墨烯纳米带和扶手椅型（armchair）石墨烯纳米带。大量研究表明，对于所有宽

度的锯齿型（zigzag）石墨烯纳米带均呈现出金属性。在石墨烯纳米带的制备过

程中，不可避免地存在各种各样的缺陷如拓扑缺陷[8−9]、空位缺陷[10−15]、吸

附原子[16−19]等。在理论方面，欧阳方平等[20−22]研究了单、双空位缺陷及边

缘缺陷等对石墨烯纳米带的电子结构和输运性质的影响；Zhang等[23]研究了具

有边缘缺陷的zigzag石墨烯纳米带自旋极化效应。由此可见，缺陷的引入对石墨

烯纳米带的电子结构有重要影响。但是，到目前为止，缺陷对纳米带电子结构的影

响机理还有待进一步研究。为此，本文作者利用基于密度泛函理论的第一性原理研

究空位缺陷对zigzag石墨烯纳米带的电子结构的影响。

1计算模型与方法

Zigzag石墨烯纳米带的几何结构优化和电子结构的计算采用基于密度泛函理论

（DFT）方法