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碳化硅的合成研究进展

摘要：SiC材料是第三代半导体材料,广泛运用于军事、航空等领域,

这与碳化硅的性质息息相关。正因为其运用，国外限制该产品的出口。最

早发现碳化硅是在陨石里，大自然给我们带来了宝贝，后来随着人们对其

的研究，碳化硅的作用慢慢被发掘，自然界碳化硅的含量本来就很少，从

天然提取的碳化硅的量已经远远不能满足我们的需求。碳化硅的运用前景

那么好，人们开始用化学的方法来合成自己需要的多余的部分。这样，碳

化硅的合成方法的研究也就越来越吸引关注，很多人都致力于此项研究工

作，其中以碳热还原法为主，其反应条件等都已经研究得比较成功，这才

使得碳化硅的合成工艺与技术比较成熟，但改进和提升空间还很大，特别

在我国远远没有达到绿色、低碳、节能的要求。以下介绍了碳热还原发的

几种研究进展。

关键词：碳化硅/SiC；用途；合成；碳热还原法；二氧化硅/SiO2。

正文：碳化硅由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨

性能好，其用途也就很多：(1)作为磨料，可用来做磨具，如砂轮、油石、

磨头、砂瓦类等；(2)作为冶金脱氧剂和耐高温材料；(3)高纯度的单晶，

可用于制造半导体、制造碳化硅纤维。在化工一方面可用做炼钢的脱氧剂

和铸铁组织的改良剂，可用做制造四氯化硅的原料，是硅树脂工业的主要

原料。碳化硅脱氧剂是一种新型的强复合脱氧剂，取代了传统的硅粉碳粉

进行脱氧，和原工艺相比各项理化性能更加稳定，脱氧效果好，使脱氧时

间缩短，节约能源，提高炼钢效率，提高钢的质量，降低原辅材料消耗，

减少环境污染，改善劳动条件，提高电炉的综合经济效益都具有重要价值。

另一方面用于有色金属冶炼工业的高温间接加热材料,如竖罐蒸馏炉、精馏

炉塔盘、铝电解槽、铜熔化炉内衬、锌粉炉用弧型板、热电偶保护管等；

用于制作耐磨、耐蚀、耐高温等高级碳化硅陶瓷材料；还可以制作火箭喷

管、燃气轮机叶片等。此外，碳化硅也是高速公路、航空飞机跑道太阳能

热水器等的理想材料之一。碳化硅按其纯度可分为黑碳化硅和绿碳化硅，黑碳

化硅,金属光泽，含碳化硅95%以上，强度比绿碳化硅大，但硬度较低，主

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要用于磨铸铁和非金属材料；绿绿碳化硅，含碳化硅97%以上，主要用于

磨硬质合金工具。鉴于碳化硅有那么多用途，碳化硅的合成越来越受到各

国的重视，都致力于研究最简单高效的合成方法。

碳化硅的合成方法主要是碳热还原法：碳热还原法合成SiC的主要原

料是SiO2和C总反应方程式如下：SiO2(s)+3C(s)→SiC(s)+2CO(g)。

Guterl等[4]认为反应分两步进行先是固态SiO2和固态C反应生成气态

SiO和CO，接着气态SiO再和固态C反应生成固态SiC和气态CO。其反应

方程式如下：SiO2(s)+C(s)→SiO(g)+CO(g)，SiO(g,l)+2C(s)→

SiC(s)+CO(g)。碳热还原法是制备碳化硅的主要的思想方法，长期以来工

业合成SiC一直采用石英砂和石油焦炭为原料。

以下是碳化硅合成研究的进展：1、铁矿石尾矿合成碳化硅粉末。实验

过程：主要原料是鞍山钢铁集团公司产铁尾矿主要成分质量分数为SiO2

68.32%、Fe2O326.53%、CaO0.72%、Al2O30.35%、MgO0.95%、MnO0.096、

TiO20.03%。用振动制样机将铁尾矿破碎细磨至75μm采用抚顺石油公

司产碳黑3040nm做还原剂其固定碳质量分数为95.44%按C和SiO2摩尔

比为4进行配料。将配制好的混合料置于聚氨酯球磨罐中以无水乙醇为介

质湿混24h，然后将料浆放入烘箱中于60烘干待混合料充分干燥后再干

混4h以确保混合料充分均匀称，取一定量坯料放入钢模中机压制成15mm

×5mm的圆坯，将素坯装入石墨坩埚中置于立式MoSi2电阻炉恒温区中，

由炉底连续通入氩气常压下进行合成反应合成温度为1200℃～1500℃，恒

温时间0～14h，Ar流量80mL/min，采用XMTA–1型温控仪上海亚太精

密仪表厂进行控温，升温速度约5/min降温速度约4/min；即可合成后

的样品。

2、一