半导体论文 _原创文档.pdf

新型材料的半导体性能研究

提要：

在上世纪50年代，随着锗、硅材料作为第一代半导体的出现，

以集成电路为核心的微电子工业开始逐渐发展起来，此类材料被广泛

应用于集成电路中。此后的几十年时间里，电子信息产业发展壮大。

进入90年代以后，第二代半导体砷化镓、磷化铟等具有高迁移率的

半导体材料逐渐出现，使得有线通讯技术迅速发展。随后在本世纪初，

碳化硅，氮化镓等具有宽禁带的第三代半导体材料也相继问世，将当

代的信息技术推向了更高的台阶。

关键词：

半导体氮化镓碳化硅一氧化石墨烯

正文：

随着信息、生物、航空航天、核技术等新兴高技术产业的发展和

传统材料的高技术化，新材料产业蓬勃发展。当今世界上各种新材料

市场规模每年已超过4000多亿元，由新材料带动而产生的新产品和

新技术则是更大的市场，新材料产业成为21世纪初发展最快的高新

技术产业之一。

其中笔电、手机等3C产品都需要半导体晶片，半导体的新材料

研究也取得各种成果，比如：氮化镓，碳化硅，一氧化石墨烯等。

氮化镓作为第三代半导体的代表，其化学性质非常稳定，在室温

下不溶于水，酸和碱，且融点高达1700℃，硬度较大。由以上基本性

质就可知用氮化镓做成的材料具有耐高温，耐酸碱腐蚀和抗外力变形

等优越的性能。目前，氮化镓和氮化镓基半导体材料已经成为了世界

各国研究的热点。氮化镓的合成与制备方法目前对氮化镓的主要研究

对象之一，单晶氮化镓薄膜和纳米氮化镓的合成方法是研究的重中之

重。

半导体发光二极管和半导体激光器类似，也是一个PN结，也是

利用外电源向PN结注入电子来发光的。半导体发光二极管记作LED，

是由P型半导体形成的P层和N型半导体形成的N层，以及中间的由双

异质结构成的有源层组成。

氮化镓单晶材料是用于氮化镓生长的最理想的LED材料，这样可

以大大提高晶圆膜的晶体质量，降低位错密度，提高器件工作寿命，

提高发光效率，提高器件工作电流密度。可是，制备氮化镓体单晶材

料非常困难，到目前为止尚未有行之有效的办法。有研究人员通过

HVPE方法在其它LED材料(如Al2O3、SiC、LGO)上生长氮化镓厚膜，

然后通过剥离技术实现LED衬底和氮化镓厚膜的分离，分离后的氮化

镓厚膜可作为外延用的LED材料。这样获得的氮化镓厚膜优点非常明

显，即以它为LED材料外延的氮化镓薄膜的位错密度，比在Al2O3、

SiC上外延的氮化镓薄膜的位错密度要明显低；但价格昂贵。因而氮

化镓厚膜作为半导体照明的材料之用受到限制。

Al2O3是用于氮化镓生长的最普遍的材料，其优点是化学稳定性

好、不吸收可见光、价格适中、制造技术相对成熟；不足方面虽然很

多，但均一一被克服，如很大的晶格失配被过渡层生长技术所克服，

导电性能差通过同侧P、N电极所克服，机械性能差不易切割通过雷

射划片所克服，很大的热失配对外延层形成压应力因而不会龟裂。但

是，差的导热性在器件小电流工作下没有暴露出明显不足，却在功率

型器件大电流工作下问题十分突出。

除了Al2O3材料外，目前用于氮化镓生长的材料就是SiC，它在

市场上的占有率位居第二，目前还未有第三种材料用于氮化镓LED的

商业化生产。它有许多突出的优点，如化学稳定性好、导电性能好、

导热性能好、不吸收可见光等，但不足方面也很突出，如价格太高、

晶体质量难以达到Al2O3和Si那么好、机械加工性能比较差。另外，

SiC材料吸收380nm以下的紫外光，不适合用来研发380nm以下的紫

外LED。由于SiC材料优异的的导电性能和导热性能，不需要像Al2O3

材料上功率型氮化镓LED器件采用倒装焊技术解决散热问题，而是采

用上下电极结构，可以比较好的解决功率型氮化镓LED器件的散热问

题。目前国际上能提供商用的高质量的SiC材料的厂家只有美国CREE

公司。

在硅材料上制备发光二极管是本领域中梦寐以求的一件事情，因

为一旦技术获得突破，晶圆生长成本和器件加工成本将大幅度下降。

Si片作为GaN材料有许多优点，如晶体质量高，尺寸大，成本低，易

加工，良好的导电性、导热性和热稳定性等。然而，由于GaN外延

层与Si材料之间存在巨大的晶格失配和热失配，以及在GaN的生长过

程中容易形成非晶氮化硅，所以在Si材料上很难得到无龟裂及器件

级质量的GaN材料。另外，由于硅材料对光的吸收严重，LED节能灯

出光效率低。

ZnO作为GaN晶圆的候