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4h碳化硅单晶中的位错

位错是晶体中的一种结构缺陷，它是晶格中原子排列的畸变或

不匹配。4H碳化硅单晶中常见的位错有以下几种：

1.柏式位错（BasalDislocation）：位错线沿着基面（0001）

方向延伸，将晶体分为相邻六角晶格之间的不同区域。

2.螺位错（ScrewDislocation）：位错线呈螺旋形，沿着晶体

的非基面方向延伸。螺位错会引起晶体的扭曲。

3.混合位错（MixedDislocation）：螺旋位错和柏式位错的组

合。

4.边界位错（EdgeDislocation）：位错线沿晶体的边界方向延

伸，与边界平行。

5.位错环（DislocationLoop）：位错形成闭合环状，一般由于

复合或环晕形成。

以上是4H碳化硅单晶中常见的位错类型，它们会对晶体的物

理性质和电学性质产生影响。