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电工及电子技术基础复习资料

一、判断题

1、半导体如果受外部刺激，其性质不会发生变化。(×)

2、半导体分为P型、N型和H型。(×)

3、二极管是P型半导体和N型半导体接合而成的。(√)

4、二极管具有单向导通性能。(√)

5、一般整流用二极管。(√)

6、齐纳二极管是一种特殊的二极管。(√)

7、晶体管是在PN接合半导体上，再接合一块P型或N型半导体。(√)

8、晶体管的工作原理同二极管相同。(×)

9、晶体管的作用就是开关作用。(×)

10、增幅作用是晶体管的运用之一。(√)

1.电压，也称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。(√)

2.在导体上施加电压就会有电流流过。(√)

3.导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。(√)

4.电动势是表示非静电力把单位正电荷从负极经电源内部移到正极所做的功。(√)

5.电器设备在单位时间内消耗的电能称为电功率。(√)

6.在同一电路中，导体中的电流跟导体两端的电压成正比，跟导体的电阻阻值成反比,这就是欧姆定律。(√)

7.电磁场可由变速运动的带电粒子引起，也可由强弱变化的电流引起。(√)

8.电磁感应是因磁通量变化产生感应电动势的现象。(√)

9.电路的基本组成部分是电源和负载。(×)

10.电路中能提供电能的称为电源元件。(√)

二、单项选择题

1、在齐纳二极管上施加逆方向电压，当电压超过某一数值时，(D)。

(A)会急剧产生电流(B)会急剧产生电阻

(C)会急剧产生电流导致二极管击穿损坏

(D)会急剧产生电流而不会出现击穿损坏

2、齐纳二极管的齐纳电压与二极管的击穿电压相比，齐纳电压(C)。

(A)高(B)低(C)相同(D)不确定

3、晶体管有(B)型。

(A)NNP(B)NPN(C)PNN(D)PPN

4、晶体管有(C)型。

(A)NNP(B)NPP(C)PNP(D)PPN

5、对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么发射极内的自由电子(A)。

(A)朝基极侧移动(B)朝集电极侧移动

(C)不动(D)在发射极处无序运动

6、对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，那么基极内的空穴(A)。

(A)朝集电极侧移动(B)朝发射极侧移动

(C)不动(D)在基极处无序运动

7、在汽车中与电子控制相关的回路的开闭一般由(D)来进行。

(A)开关(B)继电器(C)二极管(D)晶体管

8、晶体管不存在类似继电器(B)磨损、烧损等情况。

(A)线圈(B)触点(C)电磁力(D)磁力线

9、在开关回路中，主要运用了晶体管的(D)优点。

(A)不存在类似继电器触点磨损、烧损等情况(B)可以实现高速开闭

(C)不会发生间歇电震(D)可实现小电流控制大电流。

10、晶体管的运用有开关回路、定时回路、电压限制和(D)。

(A)发动机转速传感(B)空气流量传感(C)温度传感(D)电子点火

1、电压的符号为(C)。

(A)R(B)I(C)U(D)P

2、电压的单位是(A)。

(A)伏特(B)瓦特(C)安培(D)欧姆

3、电流的符号为(B)。

(A)R(B)I(C)U(D)P

4、电流的单位是(C)。

(A)伏特(B)瓦特(C)安培(D)欧姆

5、电阻的符号为(A)。

(A)R(B)I(C)U(D)P

6、电阻的单位是(D)。

(A)伏特(B)瓦特(C)安培(D)欧姆

7、电动势的符号为(A)。

(A)E(B)I(C)U(D)P

8、电动势的单位是(A)。

(A)伏特