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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN104536614A
(43)申请公布日2015.04.22
(21)申请号CN201510015480.3
(22)申请日2015.01.12
(71)申请人京东方科技集团股份有限公司
地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号
(72)发明人邸云萍刘震
(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限公司
代理人李相雨
(51)Int.CI
G06F3/041
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
石墨烯传感器及其制作方法和触控
显示装置
(57)摘要
本发明提供了一种制作石墨烯触摸
传感器的方法,包括:在衬底上形成石墨
烯层;在所述石墨烯层上形成金属层;在
所述金属层上涂覆光刻胶;采用灰阶掩膜
版对所述光刻胶进行曝光,显影后形成光
刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域
和光刻胶完全保留区域;去除所述光刻胶
完全去除区域的金属层和石墨烯层;去除
所述光刻胶部分保留区域的金属层;对所
述光刻胶部分保留区域的石墨烯层涂覆保
护膜;剥离剩余的光刻胶。本发明还提供
了采用上述制作方法得到的石墨烯传感器
及包括石墨烯传感器的触控显示装置。本
发明避免了光刻工艺中碱性显影液和碱性
剥离液接触石墨烯薄膜导致其导电性变差
的问题,提高了良率,降低了成本。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种制作石墨烯触摸传感器的方法,其特征在于,所述方法包
括:
在衬底上形成石墨烯层;
在所述石墨烯层上形成金属层;
在所述金属层上涂覆光刻胶;
采用灰阶掩膜版对所述光刻胶进行曝光,显影后形成光刻胶完全
去除区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域;
去除所述光刻胶完全去除区域的金属层和石墨烯层;
去除所述光刻胶部分保留区域的金属层;
对所述光刻胶部分保留区域的石墨烯层涂覆保护膜;
剥离剩余的光刻胶。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光刻胶为正性
光刻胶,曝光时所述光刻胶完全去除区域的光刻胶受到光照而所述光
刻胶完全保留区域的光刻胶不受到光照。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光刻胶为负性
光刻胶,曝光时所述光刻胶完全保留区域的光刻胶受到光照而所述光
刻胶完全去除区域的光刻胶不受到光照。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除所述光刻
胶完全去除区域的金属层包括:采用酸性溶液湿法刻蚀所述光刻胶完
全去除区域的金属层。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除所述光刻
胶完全去除区域的石墨烯层包括:干法刻蚀所述光刻胶完全去除区域
的石墨烯层,并同时灰化所述光刻胶部分保留区域的光刻胶。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除所述光刻
胶部分保留区域的金属层包括:采用酸性溶液湿法刻蚀所述光刻胶部
分保留区域的金属层。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述保护膜的材料
为树脂。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述剥离剩余的光
刻胶包括:采用碱性剥离液剥离剩余的光刻胶。
9.一种采用权利要求1-8任一项所述方法制成的石墨烯传感器,
其特征在于,包括:衬底,形成在所述衬底上的石墨烯图案,以及形
成在所述石墨烯图案上的金属引线。
10.一种触控显示装置,其特征在于,包括权利要求9所述的石
墨烯传感器。
说明书
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