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(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN104536614A

(43)申请公布日2015.04.22

(21)申请号CN201510015480.3

(22)申请日2015.01.12

(71)申请人京东方科技集团股份有限公司

地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号

(72)发明人邸云萍刘震

(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限公司

代理人李相雨

(51)Int.CI

G06F3/041

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

石墨烯传感器及其制作方法和触控

显示装置

(57)摘要

本发明提供了一种制作石墨烯触摸

传感器的方法,包括:在衬底上形成石墨

烯层;在所述石墨烯层上形成金属层;在

所述金属层上涂覆光刻胶;采用灰阶掩膜

版对所述光刻胶进行曝光,显影后形成光

刻胶完全去除区域、光刻胶部分保留区域

和光刻胶完全保留区域;去除所述光刻胶

完全去除区域的金属层和石墨烯层;去除

所述光刻胶部分保留区域的金属层;对所

述光刻胶部分保留区域的石墨烯层涂覆保

护膜;剥离剩余的光刻胶。本发明还提供

了采用上述制作方法得到的石墨烯传感器

及包括石墨烯传感器的触控显示装置。本

发明避免了光刻工艺中碱性显影液和碱性

剥离液接触石墨烯薄膜导致其导电性变差

的问题,提高了良率,降低了成本。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种制作石墨烯触摸传感器的方法,其特征在于,所述方法包

括:

在衬底上形成石墨烯层;

在所述石墨烯层上形成金属层;

在所述金属层上涂覆光刻胶;

采用灰阶掩膜版对所述光刻胶进行曝光,显影后形成光刻胶完全

去除区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域;

去除所述光刻胶完全去除区域的金属层和石墨烯层;

去除所述光刻胶部分保留区域的金属层;

对所述光刻胶部分保留区域的石墨烯层涂覆保护膜;

剥离剩余的光刻胶。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光刻胶为正性

光刻胶,曝光时所述光刻胶完全去除区域的光刻胶受到光照而所述光

刻胶完全保留区域的光刻胶不受到光照。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光刻胶为负性

光刻胶,曝光时所述光刻胶完全保留区域的光刻胶受到光照而所述光

刻胶完全去除区域的光刻胶不受到光照。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除所述光刻

胶完全去除区域的金属层包括:采用酸性溶液湿法刻蚀所述光刻胶完

全去除区域的金属层。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除所述光刻

胶完全去除区域的石墨烯层包括:干法刻蚀所述光刻胶完全去除区域

的石墨烯层,并同时灰化所述光刻胶部分保留区域的光刻胶。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述去除所述光刻

胶部分保留区域的金属层包括:采用酸性溶液湿法刻蚀所述光刻胶部

分保留区域的金属层。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述保护膜的材料

为树脂。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述剥离剩余的光

刻胶包括:采用碱性剥离液剥离剩余的光刻胶。

9.一种采用权利要求1-8任一项所述方法制成的石墨烯传感器,

其特征在于,包括:衬底,形成在所述衬底上的石墨烯图案,以及形

成在所述石墨烯图案上的金属引线。

10.一种触控显示装置,其特征在于,包括权利要求9所述的石

墨烯传感器。

说明书

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