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錫須生長影響因素
及預防措施報告大綱何為錫須？錫須生長原理及限制錫須生長之策略1.底層材料之影響2.外界因素之影響（劃傷及折彎）3.錫鍍層厚度之影響4.鎳鍍層厚度之影響客戶聲音錫須（生長過程）生長期間形狀成形後錫須小丘狀（生長初期）交錯方式生長呈條紋狀生長呈環狀生長錫須（生長方式）錫晶粒層狀生長，逐漸向外推錫晶粒垂直方向生長，逐漸積累錫晶粒兩種生長方式並存繩狀枝狀從小丘狀開始生長錫須（生長形態）錫須生長過程中，客觀因素的影響或是錫晶粒排列取向改變使錫須生長方向發生改變，形成不同生長形態的錫須。客戶聲音DELL要求錫須生長原理及限制錫須生長之策略底層材料之影響SnSnSn-XIMCXSubstrate底層材料不同時，錫鍍層與底層材料間形成IMC（Intermetallic）量與速率不同，此時錫鍍層錫須生長機會則不同CompressiveStressCuSubstrateSnDepositTinWhiskerisforcedoutCu6Sn5底層材料之影響（底鍍層為Cu材）IMCStress23°C,2DaysRT,30days錫銅IMC數量增加並向錫層晶界處滲透對錫鍍層形成壓力錫銅IMC（金屬間化合物）生長特性
Aging:RoomTempCu6Sn5intermetallic室溫時生長曲線
Cu6Sn5orCu3Snintermetallic125度，
150度時生長曲線
錫須截面圖（SnonCusubstrate）IMC向晶界處滲透擠壓錫晶粒促使錫須產生15000X10000X錫須截面圖（SnonCusubstrate）IMC銅基材上錫須生長概要1.Cu與Sn接觸，形成Sn-CuIMC2.Sn-CuIMC向Sn層晶界間滲透對Sn層形成壓力3.壓力的存在，使錫晶粒重新排列成為可能，也是錫須生長成為可能SnSnIMCNiSubstrate底層鍍鎳時，在室溫條件理貯存6個月，未發現有錫須生長。底層材料之影響（底鍍層為Ni材）200X 5000X鎳鍍層上鍍錫時，錫須生長情況
（after500tempcycles–55to+85deg.C）經冷熱循環實驗後發現有錫須生長。但生長並不超過50um。可通過鍍鎳阻隔層以減少錫須生長之機會。外界因素之影響（劃傷）200X避免鍍層表面劃傷將使錫須生長機率降低外界因素之影響（折彎）錫鍍層厚度之影響（底材為黃銅）黃銅鍍錫當錫膜厚2um時，生長錫須的機會很小鎳鍍層厚度之影響（底材為黃銅）當鎳層厚度達2um時，發現錫須的機會很小樣品制作完成後，於室溫下存放12個月**
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