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第卷第期厦门大学学报自然科学版Vol.62No.4
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2023年7月JournalofXiamenUniversityNaturalScienceJul.2023
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doi10.6043j.issn.0438-0479.202205009
基于绝缘体上硅的颅内压力传感器的设计与制作
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王凌云卜振翔刘路江谷丹丹
钟长志11*112
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1.3611022.361102
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厦门大学航空航天学院福建厦门厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院福建厦门
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intracranialressureICP测量的迫切需要设计并制造了一款量程为-10~
摘要:基于当前医疗领域对颅内压(p
,)压阻式压力传感器
50kPasilicon-on-insulatorSOI.
(,
的绝缘体上硅根据硅的压阻效应原理和小挠度变形理论完成了
,)加工工艺完成了敏感芯片的制
micro-electromechanicalsstemsMEMS
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传感器的整体结构设计采用微电子机械系统
,)和生物柔性硅胶技术对芯片进行了放大补偿和封装
flexiblerintedcircuitFPC.
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