减少碳化硅外延中的胡萝卜缺陷 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN1926266A

(43)申请公布日2007.03.07

(21)申请号CN200480042246.X

(22)申请日2004.11.18

(71)申请人克里公司

地址美国北卡罗来纳州

(72)发明人M·J·奥洛克林J·J·苏马克里斯

(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司

代理人刘红

(51)Int.CI

C30B29/36

C30B25/02

H01L21/302

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

减少碳化硅外延中的胡萝卜缺陷

(57)摘要

本发明公开了在离轴衬底上制造单

晶碳化硅外延层的方法，包括步骤：将衬

底置于外延生长反应室内，在衬底上生长

第一层外延碳化硅，中断第一层外延碳化

硅的生长，腐蚀第一层外延碳化硅以减小

第一层的厚度，以及在第一层外延碳化硅

上再次生长第二层外延碳化硅。通过下述

工艺可以终止胡萝卜缺陷：中断外延生

长、腐蚀所生长的层以及再次生长第二层

外延碳化硅。该生长中断/腐蚀/再次生长可

以重复多次。碳化硅外延层具有至少一个

终止在所述外延层内的胡萝卜缺陷。本发

明还提供了一种半导体结构，包括离轴碳

化硅衬底上的碳化硅外延层，以及在衬底

和外延层之间界面附近中具有成核点的胡

萝卜缺陷，其中该胡萝卜缺陷终止在外延

层内。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种在离轴碳化硅衬底上制造单晶碳化硅外延层的方法，包括步骤：

在所述衬底上生长第一层外延碳化硅；

腐蚀所述第一层外延碳化硅以减小第一层的厚度；以及

在腐蚀的第一层外延碳化硅上生长第二层外延碳化硅。

2.根据权利要求1的方法，进一步包括在腐蚀所述第一层外延碳化硅之前中断所述

第一层外延碳化硅的生长。

3.根据权利要求2的方法，其中生长第一层外延碳化硅包括将包含硅和碳的源气体

流过所述衬底上方，且中断所述第一层外延碳化硅的生长包括减小源气体的流量。

4.根据权利要求2的方法，其中生长第一层外延碳化硅包括将包含硅和碳的源气体

流过所述衬底上方，且中断所述第一层外延碳化硅的生长包括停止源气体的流量。

5.根据权利要求3的方法，其中腐蚀所述第一层外延碳化硅包括使腐蚀气体流过衬

底上方。

6.根据权利要求5的方法，其中所述腐蚀气体包括Hsub2/sub、Ar、HCl、

Clsub2/sub和/或丙烷。

7.根据权利要求1的方法，其中所述第一层外延碳化硅掺杂了浓度不低于

1×10sup18/supcmsup-3/sup的掺杂剂。

8.根据权利要求1的方法，其中所述第一层外延碳化硅厚度小于4微米。

9.根据权利要求1的方法，其中所述第一层外延碳化硅厚度大于2微米。

10.根据权利要求1的方法，其中所述第一层外延碳化硅厚度约为4微米。

11.根据权利要求1的方法，其中腐蚀所述第一层外延碳化硅包括腐蚀所述第一层

外延碳化硅约1微米以上。

12.根据权利要求1的方法，其中腐蚀所述第一层外延碳化硅包括腐蚀所述第一层

外延碳化硅约1微米以下。

13.根据权利要求1的方法，其中所述第二层外延碳化硅生长至约2微米的厚度。

14.根据权利要求1的方法，进一步包括腐蚀所述第二外延层以及在被腐蚀的第二

外延层上生长第三外延层。

15.根据权利要求14的方法，进一步包括在腐蚀所述第二外延层之前中断所述第二

外延层的生长。

16.根据权利要求1的方法，其中所述衬底包括具有选自2H、4H和6H的多型的碳

化硅。

17.根据权利要求1的方法，其中腐蚀所述第一层外延碳化硅包括在外延生长反应

室内腐蚀所述第一层外延碳化硅。

18.根据权利要求1的方法，其中腐蚀所述第一层外延碳化硅包括从外延生长反应

室移除所述