一种SiC MOSFET栅氧化层退火方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN109411343A

(43)申请公布日2019.03.01

(21)申请号CN201811290893.2

(22)申请日2018.10.31

(71)申请人秦皇岛京河科学技术研究院有限公司

地址066004河北省秦皇岛市市辖区经济技术开发区数谷大道2号数谷大厦1402-2房

间

(72)发明人邵锦文侯同晓孙致祥贾仁需元磊张秋洁刘学松

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人张晓

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种SiCMOSFET栅氧化层退火方

法

(57)摘要

本发明涉及一种SiCMOSFET栅氧

化层退火方法，包括：制备SiC外延片；

在所述SiC外延片上生长SiO

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

发明专利申请公布后的驳回

IPC(主分类):H01L21/28专利申发明专利申请公布后

2022-11-04

请号:2018112908932申请公布的驳回

日

权利要求说明书

1.一种SiCMOSFET栅氧化层退火方法,其特征在于,包括:

制备SiC外延片;

在所述SiC外延片上生长SiO

2

栅氧化层;

在SiH

2

Cl

2

气体环境条件下,对所述SiO

2

栅氧化层进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,制备所述SiC外延片,包括:

选取SiC衬底层;

在所述SiC衬底层上生长SiC外延层,以形成所述SiC外延片。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述SiC外延片上生长所述SiO

2

栅氧化层之前,还包括:

利用RCA清洗所述SiC外延片。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述SiC外延片上生长所述SiO

2

栅氧化层,包括:

在1000°C~1400°C温度下,通入氧化气体,在所述SiC外延片上生长所述SiO

2

栅氧化层。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述氧化气体为干氧化气体或湿氧化气

体。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述SiH

2

Cl

2

气体环境条件下,对所述SiO

2

栅氧化层进行退火处理,包括:

在500°C~1000°C温度下,所述SiH

2

Cl

2

气体分解生成混合气体;

在所述混合气体、设定压力和设定时间条件下,对所述SiO

2

栅氧化层进行退火处理。

7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述混合气体为H

2

、Cl

2

和HCl。

8.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述设定压力为0.1mbar~1mbar。

9.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述设定时间为30~180min。

说明书

p技术领域

本发明属于SiCMOSFET器件领域,具体涉及一种SiCMOSFET栅氧化层退火方法。

背景技术

SiC作为第三代半导体材料,具有宽带隙、高热导率、高击穿场强等优势,适合用来

制作高温大功率、高温高频以及抗辐射器件。因此,SiC被广泛应用到半导体场效应

晶体管(Metal-oxideSemiconductorFieldEffectTransistor,简称MOSFET)。