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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN102723427A
(43)申请公布日2012.10.10
(21)申请号CN201210179114.8
(22)申请日2012.05.30
(71)申请人惠州市大亚湾永昶电子工业有限公司
地址516083广东省惠州市大亚湾经济技术开发区响水河工业园
(72)发明人代克明胡华武
(74)专利代理机构
代理人
(51)Int.CI
H01L33/62
H01L33/00
B23K31/02
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
LED晶片共晶焊接工艺
(57)摘要
本发明公开一种LED晶片共晶焊
接工艺，包括以下步骤：点印助焊剂步
骤，在待焊接支架上的焊接位置点印助焊
剂；晶片安放步骤，将待焊接的晶片安放
于所述支架上点印了助焊剂的焊接位置；
脉冲加热步骤，利用脉冲电流加热装置通
过脉冲电流，对所述晶片进行从上往下加
热、同时利用置于焊接底座内的恒温加热
装置对所述支架从下往上进行恒温加热，
使所述支架与晶片共晶溶解后固定粘接；
氮气冷却步骤，使用氮气冷却装置向加热
焊接后的LED晶片喷吹氮气，使其冷却到
常温。本发明加热速度快、焊接精度高，
使用该工艺焊接后的LED晶片具有更好的
导热性，达到降低热阻效果。
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
权利要求说明书
1.一种LED晶片共晶焊接工艺，其特征在于，包括以下步骤：
点印助焊剂步骤，在待焊接支架上的焊接位置点印助焊剂；
晶片安放步骤，将待焊接的晶片安放于所述支架上点印了助焊剂的焊接
位置；
脉冲加热步骤，利用脉冲电流加热装置通过脉冲电流，对所述晶片进行
从上往下加热、同时利用置于焊接底座内的恒温加热装置对所述支架从下往
上进行恒温加热，使所述支架与晶片共晶溶解后固定粘接；
氮气冷却步骤，使用氮气冷却装置向加热焊接后的LED晶片喷吹氮气，
使其冷却到常温。
2.如权利要求1所述的LED晶片共晶焊接工艺，征在于，在所述脉冲
加热步骤之前还包括有：
第一视觉识别步骤，对待焊接支架的表面尺寸进行视觉识别处理，确认
待焊接支架的位置，并判定待焊接支架外观，剔除定位不良的不良材料或者
提示处理。
3.如权利要求2所述的LED晶片共晶焊接工艺，其特征在于，所述第
一视觉识别步骤具体包括有：
第一光学尺寸检测步骤，通过设置在共晶焊接平台上方的的光学检测摄
像头对待焊接的支架表面尺寸进行视觉识别检测，并拍摄定位图像；
第一图像处理步骤，对所述光学检测摄像头拍摄的定位图像进行图像处
理，通过利用预设的多值化标准图像与拍摄的定位图像进行对比，计算待焊
接的支架的定位准确率；
第一识别处理步骤，判断所述定位准确率是否达到预设的标准，若是，
则执行所述加热步骤，否则，将所述待焊接的支架作为不良材料处理。
4.如权利要求3所述的LED晶片共晶焊接工艺，其特征在于，在所述
第一视觉识别步骤之前还包括有：
晶片角度校正步骤，对待焊接的晶片进行晶片角度校正。
5.如权利要求4所述的LED晶片共晶焊接工艺，其特征在于，在所述
晶片角度校正步骤之前还包括有：
第一晶片搬运步骤，从晶片载体上吸取待焊接的晶片，并将该晶片搬运
到晶片角度校正装置上待校正；
在所述晶片角度校正步骤之后、所述第一视觉识别步骤之前还包括有：
第二晶片搬运步骤，从所述晶片角度校正装置上吸取校正完毕的晶片，
并将该晶片搬运到共晶焊接平台上。
6.
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