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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN110098070A
(43)申请公布日2019.08.06
(21)申请号201910350179.6G02F1/155(2006.01)
G02F1/163(2006.01)
(22)申请日2019.04.28
(71)申请人东华大学
地址201620上海市松江区松江新城人民
北路2999号
(72)发明人王宏志李建民李耀刚张青红
侯成义
(74)专利代理机构上海泰能知识产权代理事务
所31233
代理人黄志达魏峯
(51)Int.Cl.
H01G11/84(2013.01)
H01G11/86(2013.01)
H01G11/30(2013.01)
H01G11/48(2013.01)
权利要求书1页说明书4页附图2页
(54)发明名称
一种PEDOT/TiCT基微芯片超级电容器及
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其制备和应用
(57)摘要
本发明涉及PEDOT/TiCT基微芯片超级电
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容器及其制备和应用。该超级电容器是由PEDOT/
TiCT复合薄膜制备得到。该方法包括：TiCT
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二维材料制成水系分散液制备；TiCT透明导电
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薄膜制备；PEDOT/TiCT复合薄膜制备；微芯片
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超级电容器制备。该方法简单，工艺过程温和，可
大批量生产，为制备多功能微芯片器件提供了新
的思路，在电子信息领域有巨大的应用前景；该
超级电容器同时具有储能、电致变色两种功能。
A
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0
1
1
N
C
权利要求书
CN110098070A1/1页
1.一种PEDOT/TiCT基微芯片超级电容器，其特征在于，所述超级电容器是由PEDOT/
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TiCT复合薄膜制备得到；所述PEDOT/TiCT复合薄膜是由PEDOT电化学沉积到TiCT透
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明导电薄膜表面得到。
2.一种PEDOT/TiCT基微芯片超级电容器的制备方法，包括：
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(1)将TiAlC进行化学刻蚀，将得到的TiCT二维材料制成水系分散液；
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(2)将步骤(1)中水系分散液喷涂在玻璃片表面，制备得到TiCT透明导电薄膜；
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(3)通过电化学沉积
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