一种蓝光光电二极管及其制备方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN113903872A

(43)申请公布日2022.01.07

(21)申请号CN202111318305.3

(22)申请日2021.11.09

(71)申请人深圳先进技术研究院

地址518055广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号

(72)发明人陈冬冬郑雪张杰任超马明杨春雷

(74)专利代理机构44316深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人魏毅宏

(51)Int.CI

H01L51/54

H01L51/52

H01L51/56

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种蓝光光电二极管及其制备方法

(57)摘要

本申请提供的蓝光光电二极管及其

制备方法，在处理后的基底上依次设置空

穴传输层、量子点发光层及电子传输层，

所述空穴传输层为I‑III‑VI族黄铁矿量子

点，再在上述步骤中得到的器件的阳极区

域上设置金属电极，本申请提供的蓝光光

电二极管，采用Ⅰ‑Ⅲ‑Ⅵ族黄铁矿无机量

子点材料替代传统的有机空穴功能层

PEDOT:PSS/PVK，以达到空穴功能层与发

光层能带匹配和提升空穴迁移率的目的，

使得器件中电子和空穴注入平衡，实现高

效稳定的蓝光QLED器件。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2022-01-25实质审查的生效实质审查的生效

2022-01-07公开公开

权利要求说明书

1.一种蓝光光电二极管,其特征在于,包括从下至上依次设置的基底、空穴传输层、

量子点发光层、电子传输层以及电极,所述空穴传输层为I-III-VI族黄铁矿量子点。

2.如权利要求1所述的蓝光光电二极管,其特征在于,所述基底包括氧化铟锡导电玻

璃。

3.如权利要求2所述的蓝光光电二极管,其特征在于,所述氧化铟锡导电玻璃的尺寸

为15mm*15mm,厚度为1-2mm,可见光透过率在70%-80%。

4.如权利要求1所述的蓝光光电二极管,其特征在于,所述I-III-VI族黄铁矿量子点包

括铜铟硫量子点或铜镓硫量子点或铜铟镓硫量子点或银铜铟硫量子点或银铜镓硫量

子点或银铜铟镓硫量子点中的一种。

5.如权利要求1所述的蓝光光电二极管,其特征在于,所述量子点发光层为镉系核壳

量子点。

6.如权利要求5所述的蓝光光电二极管,其特征在于,所述镉系核壳量子点为

CdS/CdSe核壳量子点或钙钛矿量子点或III-V族量子点或者其他三元或四元的发光

量子点材料。

7.如权利要求1所述的蓝光光电二极管,其特征在于,所述电子传输层为ZnO的纳米

晶体。

8.如权利要求1所述的蓝光光电二极管,其特征在于,所述电极为银或金。

9.如权利要求1所述的蓝光光电二极管,其特征在于,所述基底的厚度为50-500nm,所

述空穴传输层的厚度为30-50nm,所述量子点发光层的厚度为30-50nm,所述电子传

输层的厚度为20-50nm,所述阴极的厚度为80-150nm。

10.如权利要求1所述的蓝光光电二极管,其特征在于,所述I-III-VI族黄铁矿量子点

材料的空间尺度为5-20nm,中心平均间距为1-100nm;所述量子点发光层的空间尺度

为1-10nm,中心平均间距为1-100nm;所述电子传输层的空间尺度为1-10nm,中心平

均间距为1-100nm。

11.一种如权利要求1至10任一项所述的蓝光光电二极管的制备方法,其特征在于,

包括下述步骤:

对基底进行处理;

在处理后的基