发光二极管失效分析 .pdfVIP

发光二极管失效分析

蔡伟智

（厦门三安电子有限公司，福建厦门３６１００９）

１引言

和半导体器件一样，发光二极管（ＬＥＤ）早期失效原因分析是可靠性工作的重要部分，是提高ＬＥＤ可

靠性的积极主动的方法。ＬＥＤ失效分析步骤必须遵循先进行非破坏性、可逆、可重复的试验，再做半破

坏性、不可重复的试验，最后进行破坏性试验的原则。采用合适的分析方法，最大限度地防止把被分析器

件（ＤＵＡ）的真正失效因素、迹象丢失或引入新的失效因素，以期得到客观的分析结论。针对ＬＥＤ所

具有的光电性能、树脂实心及透明封装等特点，在ＬＥＤ早期失效分析过程中，已总结出一套行之有效的

失效分析新方法。

２ＬＥＤ失效分析方法

２.１减薄树脂光学透视法

在ＬＥＤ失效非破坏性分析技术中，目视检验是使用最方便、所需资源最少的方法，具有适当检验技能的

人员无论在任何地方均能实施，所以它是最广泛地用于进行非破坏检验失效ＬＥＤ的方法。除外观缺陷外，

还可以透过封装树脂观察内部情况，对于高聚光效果的封装，由于器件本身光学聚光效果的影响，往往看

不清楚，因此在保持电性能未受破坏的条件下，可去除聚光部分，并减薄封装树脂，再进行抛光，这样在

显微镜下就很容易观察ＬＥＤ芯片和封装工艺的质量。诸如树脂中是否存在气泡或杂质；固晶和键合位置

是否准确无误；支架、芯片、树脂是否发生色变以及芯片破裂等失效现象，都可以清楚地观察到了。

２.２半腐蚀解剖法

对于ＬＥＤ单灯，其两根引脚是靠树脂固定的，解剖时，如果将器件整体浸入酸液中，强酸腐蚀祛除树脂

后，芯片和支架引脚等就完全裸露出来，引脚失去树脂的固定，芯片与引脚的连接受到破坏，这样的解剖

方法，只能分析ＤＵＡ的芯片问题，而难于分析ＤＵＡ引线连接方面的缺陷。因此我们采用半腐蚀解剖法，

只将ＬＥＤＤＵＡ单灯顶部浸入酸液中，并精确控制腐蚀深度，去除ＬＥＤＤＵＡ单灯顶部的树脂，

保留底部树脂，使芯片和支架引脚等完全裸露出来，完好保持引线连接情况，以便对ＤＵＡ全面分析。图

１所示为半腐蚀解剖前后的φ５ＬＥＤ，可方便进行通电测试、观察和分析等试验。

在ＬＥＤ-ＤＵＡ缺陷分析过程中，经常遇到器件初测参数异常，而解剖后取得的芯片进行探针点测，芯片

参数又恢复正常，这时很难判断异常现象是由于封装键合不良导致，还是封装树脂应力过大所造成。采用

半腐蚀解剖，保留底部树脂，祛除了封装树脂应力的影响，又保持ＤＵＡ内部引线连接，这样就很容易确

认造成失效的因素。

２.３金相学分析法

金相学分析法是源于冶金工业的分析和生产控制手段，其实质是制备供分析样品观察用的典型截面，它可

以获得用其他分析方法所不能得到的有关结构和界面特征方面的现象［１］。ＬＥＤ的截面分析，是对Ｌ

ＥＤ-ＤＵＡ失效分析的最“后手段”，此后一般无法再进行其他评估分析。它也是一种ＬＥＤ解剖

分析法，为了分析微小样品，在一般试验中，需要对分析样品进行树脂灌封，以便进行机械加工，再对所

需要分析的界面进行刨削或切断，然后经过研磨、抛光，获得所要分析的界面。而对ＬＥＤ器件，有很多

本身就是树脂灌封器件，这样只要选好界面，就可通过刨削、研磨、抛光等，获得ＬＥＤ-ＤＵＡ的典型

截面。操作中，剖截面通常可用金刚砂纸研磨，当接近所关注的区域时，改用较细的金刚砂纸研磨或水磨，

最后在细毛织物上用０.０５μｍ的氧化铝膏剂抛光。图２为φ５白光ＬＥＤ侧向典型截面，可清楚地看到

其结构情况。

需要注意的是ＧａＮ基ＬＥＤ中的蓝宝石衬底异常坚硬，由于目前尚未有较好的研磨方法，因此对这类的

ＤＵＡ还难以对芯片进行截面分析。

２.４析因试验分析法

析因试验是根据已知的结果，去寻找产生结果的原因而进行的分析试验［２］。通过试验，分清是主要影

响还是次要影响的因素，可以明确进一步分析试验的方向。析因试验分析是一种半破坏性试验。ＬＥＤ-

ＤＵＡ解剖分析对操作过程要求较高，稍不留神即可能造成被分析器件的灭失。分析过程中，经常先采用

析因试验分析法，分析工程师根据复测结果和外观检查情况，综合相应理论知识和以往积累的分析经验，

估计器件失效原因，并提出针对性试验和方法进行验证。一般可采用相应的物理措施和试验———冷热冲

击试验、重力冲击试验、高温或低温试验和振动试验等。例如库存φ５透明红光ＬＥＤ单灯，出货检验时

出现个别ＬＥＤ间歇开路失效现象，而两次检测只经过搬动运输，故先对ＤＵＡ采用重力冲击试验，出现