固体电容PEDT(DOC)_原创精品文档.pdfVIP

PEDT分子通式为C6nH4n+4SnO2n。

1)PEDOT/PSS

(3,4-)/

聚亚乙基二氧噻吩聚对苯乙烯磺酸

1.Thepoly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrenesulfonate)(PEDOT/PSS)hasbeen

synthesizedbythemethodofchemicaloxidation.

(3,4-)/(PEDOT/PSS)

利用过硫酸铵为氧化剂通过化学氧化法合成了聚亚乙基二氧噻吩聚对苯乙烯磺酸。

2)poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrene-4-sulfonate)conductingpolymer/

聚二氧乙基噻吩

聚对苯乙烯磺酸导电高分子

3)poly(3,4-ethylendioxythiophene)

-3,4--

聚亚乙二氧基噻吩

1.Studyofpolythiophene,poly-3-methyl-thiopheneandpoly(3,4-ethylendioxythiophene)as

supercapacitorelectrodematerials;

(PT)-3--(PMT)-3,4--(PEDT)

聚噻吩、聚甲基噻吩和聚亚乙二氧基噻吩作为超电容器电极材料的研究

4)PEDT/PSS

/

聚乙撑二氧噻吩聚苯乙烯磺酸

6)PEDT

3,4-

聚乙烯二氧噻吩

原材料

：(M)。(C):()2()2FeCl3

单体乙烯二氧噻吩氧化剂甲基苯磺酸铁川正丁醇溶液、甲基苯磺酸铁川乙醇溶液、、

H2O2:

等。溶剂正丁醇、乙醇、异丙醇、丙酮、乙酸乙酯、异丁醇、乙醚以及含有以上有机溶剂的水溶液。

2.2薄膜制备工艺

50%，128，

将单体和氧化剂分别用溶剂稀释成的溶液然后取出按:〜配比混合然后用溶剂

配制成溶剂占聚合溶液60%〜90%的溶液，此时聚合反应开始。将清洗后烘干的Si基片和

Ta/Ta2O5，1040min,40200C

多孔阳极块浸入混合溶液中浸入时间为〜取出基片后在〜下驱除基片上

聚合物薄膜中的溶剂后再浸入纯水和乙醇中洗涤5min，烘干。重复以上操作就可

1100S/cm

得到膜厚可控、膜层致密、电导率在〜的聚合物薄膜。

PEDOT薄膜制备步骤：

1、有机溶液配制：

(1)+

无水乙醇正丁醇均匀混合液；

T

(2)34-(EDT)()1

适量单体,乙烯二氧噻吩和聚合改良剂甲基苯璜酸滴入()T均匀混合液；

(3)Fe(CH3C6H4SO3)3