(完整版)电子技术基础复习题及答案.pdf

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电子技术基础

一、选择题:

1.在杂质半导体中,少子浓度主要取决于()

(A)掺入杂质的浓度、(B)材料、(C)温度

2.测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3VUE=-4VUC=-6V,则该管工作于()

(A)放大状态、(B)饱和状态、(C)截止状态

3.在基本共射放大电路中,若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数()

(A)约为原来的1/2倍(B)约为原来的2倍(C)基本不变

4.在OCL电路中,引起交越失真的原因是()

(A)输入信号过大(B)晶体管输入特性的非线性(C)电路中有电容

5.差动放大器中,用恒流源代替长尾Re是为了()

(A)提高差模电压增益(B)提高共模输入电压范围

(C)提高共模抑制比

6.若A+B=A+C,则()

(A)B=C;(B)B=C;(C)在A=0的条件下,B=C

7.同步计数器中的同步是指()

(A)各触发器同时输入信号;(B)各触发器状态同时改变;

(C)各触发器受同一时钟脉冲的控制

8.由NPN管组成的单管基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真,这种失

真是()

(A)饱和失真(B)截止失真(C)频率失真

9.对PN结施加反向电压时,参与导电的是()

(A)多数载流子(B)少数载流子(C)既有多数载流子又有少数载流子

10.当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量()

(A)增加(B)减少(C)不变

11.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的()

A、输入电阻高B、输出电阻低

1

C、共模抑制比大D、电压放大倍数大

12.对于桥式整流电路,正确的接法是()

13.将代码8421BCD转换成二进制数为()

A、2B、2

13.将代码8421BCD转换成二进制数为()

A、2B、2

C、2D、(000100110001)2

14.N个变量的逻辑函数应该有最小项()

A、2n个B、n2个C、2n个D.、(2n-1)个

15.函数F=AB+AB转换成或非-或非式为()

A、ABABB、ABABC、ABABD、ABAB

16.图示触发器电路的特征方程Qn+1=()

n

A.TQTQn

B.TQ+TQn

C.Qn

D.T

17.多谐振荡器有()

A、两个稳定状态B、一个稳定状态,一个暂稳态

C、两个暂稳态D、记忆二进制数的功能

18.本征半导体电子浓度______空穴浓度,N型半导体的电子浓度______空穴浓度,P型半导体的电子浓度

______空穴浓度()

A、等于、大于、小于B、小于、等于、大于C、等于、小于、大于

19.稳压管构成的稳压电路,其接法是()

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