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华中科技大学CMOS拉扎维第二
章课后作业答案中文版
超超大规模集成电路与系统研究中心
CMOSAnalogDesign
Homework1Solution
By:张涛（tomjerry@126.com）
2007年3月18日
作业内容：
一、书本上的习题
2.2
2.5(a)、(b)、(c)
2.6(a)、(b)
2.7
2.15
2.8
2.18
2.24
参考解答过程
2.2.
（1）对于NMOS，工作在饱和区时，有：
2
超超大规模集成电路与系统研究中心
1uW
2
InC(VV)(1V)
D2OXLGSTHDS
I
GmD
V
GS
=uW
nC(VV)(1V)
OXLGSTHDS
=2uW
nC(VV)I(1V)
OXLGSTHDDS
2uW（忽略沟长
nC(VV)I
OXLGSTHD
调制效应）
=3.66mAV
ro1=20k
I
D
=73.3
A=Gmro
（2）对于PMOS，公式基本同上
1uW
2
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