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深圳市羽楷科技AP30H10DF 30A 100V PDFN3X3-8L.pdfVIP

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  • 2024-12-14 发布于广东
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深圳市羽楷科技AP30H10DF 30A 100V PDFN3X3-8L.pdf

    AP30H10DF

    100VN+N-ChannelEnhancementModeMOSFET

    Description

    TheAP30H10DFusesadvancedAPM-SGTⅠⅠtechnology

    toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

    operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

    deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

    orinotherSwitchingapplication.

    GeneralFeatures

    V=100VI30A

    DSD

    RDS(ON)53mΩ@VGS=10V(Type：43mΩ)

    Application

    DC/D

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