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深圳市羽楷科技AP10H10DF 10A 100V PDFN3X3-8L.pdfVIP

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  • 2024-12-14 发布于广东
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深圳市羽楷科技AP10H10DF 10A 100V PDFN3X3-8L.pdf

    AP10H10DF

    100VN+N-ChannelEnhancementModeMOSFET

    Description

    TheAP10H10DFusesadvancedtrenchtechnology

    toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

    operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

    deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

    orinotherSwitchingapplication.

    GeneralFeatures

    V=100VI10.3A

    DSD

    RDS(ON)120mΩ@VGS=10V(Type：88mΩ)

    Application

    Lith

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