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单晶硅生长技术的研究与发展

摘要：综述了硅的应用和单晶硅生长技术的研究现状。对直拉法和悬浮区熔法制备单晶硅

进行了概述，

关键词：单晶硅；

一、前言

单晶硅属于立方晶系，金刚石结构，是一种性能优良的半导体材料。自上世纪40年代

起开始使用多晶硅至今，硅材料的生长技术已趋于完善，并广泛的应用于红外光谱频率光

学元件、红外及射线探测器、集成电路、太阳能电池等。此外，硅没有毒性，且它的原材料

石英(SiO2)构成了大约60%的地壳成分，其原料供给可得到充分保障。硅材料的优点及用途

决定了它是目前最重要、产量最大、发展最快、用途最广泛的一种半导体材料。

到目前为止，太阳能光电工业基本上是建立在硅材料基础之上的，世界上绝大部分的太

阳能光电器件是用单晶硅制造的。其中单晶硅太阳能电池是最早被研究和应用的，至今它仍

是太阳能电池的最主要材料之一。单晶硅完整性好、纯度高、资源丰富、技术成熟、工作效

率稳定、光电转换效率高、使用寿命长，是制备太阳能电池的理想材料。因此备受世界各国

研究者的重视和青睐，其市场占有率为太阳能电池总份额中的40%左右。随着对单晶硅太阳

能电池需求的不断增加，单晶硅市场竞争日趋激烈，要在这单晶硅市场上占据重要地位，应

在以下两个方面实现突破，一是不断降低成本。为此，必须扩大晶体直径，加大投料量，并

且提高拉速。二是提高光电转换效率。为此，要在晶体生长工艺上搞突破，减低硅中氧碳含

量。因此，对单晶硅的生产和研究提出了新的要求。了解单晶生长条件、生长缺陷以及它们

对器件性能的影响之间的关系，对提高晶体质量是很重要的。本文采用直拉法生长了6英

寸优质单晶硅，并对其电阻率、杂质含量及位错进行了测试，获得了最佳的生长工艺参数，

分析了杂质引入机制及减少杂质的措施。

硅材料是信息技术,电子技术和光伏技术最重要的基础材料,从某种意义上讲,Si不仅

是高技术和可再生能源，更是影响国家未来在高新技术和能源领域实力的战略资源。作为一

种功能材料，其性能应该是各向异性的，因此半导体硅大都应该制备成硅单晶，并加工成抛

光片，方可制造IC器件，超过98％的电子元件都足使用硅单晶。单晶硅已渗透到国民经济

和国防科技中各个领域，当今全球超过2000亿美元的电子通信半导体市场中95%以上的半

导体器件及99%以上的集成电路用硅。

生产单晶硅的原料主要包括：半导体单晶硅碎片，半导体单晶硅切割剩余的头尾料、边

皮料等。目前，单晶硅的生长技术主要有直拉法(CZ)和悬浮区熔法(FZ)。在单晶硅的制备过

程中还可根据需要进行掺杂，以控制材料的电阻率，掺杂元素一般为Ⅲ或V主族元素.生长制

备后的单晶硅棒还需经过切片、打磨、腐蚀、抛光等工序深加工后方可制成用作半导体材料

的单晶硅片。随着单晶硅生长及加工处理技术的进步，单晶硅正朝着大直径化(300ram以上)、

低的杂质及缺陷含晕、更均匀的分布以及生产成本低、效率高的方向发展。

二、单晶硅的生长原理

当前制备单晶硅主要有两种技术，根据晶体生长方式不同，可分为悬浮区熔法（Float

ZoneMethod）和直拉法（CzochralskiMethod）。这两种方法制备的单晶硅具有不同的特性

和不同的器件应用领域，区熔单晶硅主要应用于大功率器件方面，而直拉单晶硅主要应用于

微电子集成电路和太阳能电池方面，是单晶硅的主体。

随着熔场温度的下降，将发生由液态转变到固态的相变化。对于发生在等温、等压条件

下的相变化，不同相之间的相对稳定性可由吉布斯自由能判定。AG可以视为结晶驱动力。

△G=△H—TAS(1)

在平衡的熔化温度瓦时，固液两相的自由能是相等的，即AG=0，因此

△G=AH一瓦XASO(2)

所以，AS=AH／T=(3)

其中，AH即为结晶潜热。将式(3)代入式(1)可得

(4)

由式(4)可以看出，由于AS是一个负值常数，所以△兀即过冷度)可被视为结晶的唯一驱动

力。

以典型的CZ长晶法为例，加热器的作用在于提供系统热量，以使熔硅维持在高于熔点

的温度。如果在液面浸入一品种，在品种与熔硅达到热平衡时，液面会靠着表面张力的支撑

吸附在晶种下方。若此时将晶种往上提升，这些被吸附的液体也会跟着晶种往上运动，而形

成过冷状态。这节过冷的液体由于过冷度产生的驱动力而结晶，并随着晶种方向长成单晶棒。

在凝固结晶过程中，所释放出的潜热是一个间接的热量来源，潜热将借着传导作用而沿着晶

棒传输