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光电检测技术-复习大纲
2014春班
1.基本概念原理
1)LambertsCosineLaw的定义及解释。
I=I*cosa。朗伯余弦定律,朗伯辐射表面在某方向辐射光强随该方向和法线
之间夹角余弦变化。
2)照度与距离平方成反比定律
若均匀点光源向空间发射球面波,则点光源在传输方向上某点的照度与该点
到点光源距离平方成反比。
3)亮度守恒定律
光在同一介质中传播时,若传输过程中无能量损失,则光能传输的任意表面
亮度相等且守恒。
2.光源
1)发光的机理:热辐射、发光。
一、一类是物质受热,产生热辐射而发光;二、一类是物体受激发吸收能量
而跃迁至激发态(非稳定态)在返回到基态的过程中,以光的形式放出能量。
2)光源类型:黑体辐射,非相干光,激光。区别是什么。
一、黑体辐射:能量按波长的分布仅与温度有关,随着温度不同,光的颜色
各不相同;
二、非相干光:相位无规则变化,总光强是各束光的总合,一般普通光源即
为非相干光;
三、激光光源:受激辐射,有很好的相干性。
3)激光器的主要构成部分及其作用。
①工作物质(又称激活媒质或增益介质):粒子有适当能级结构,可实现粒
子数反转;
②激励能源:抽运(又叫泵浦),即把大量粒子激励到激光上能级(高能级);
③光学谐振腔:选模(提高N即相干性),实现光学正反馈。
4)激光的特点。
高方向性、高亮度和高功率辐射密度、高单色性、高相干性
5)何为黑体,黑体的辐射光谱特征(黑体辐射三定理)。
一、在任何条件下,对任何波长的外来辐射完全吸收而无任何反射的物体,
即吸收比为1的物体。
二、
①黑体发射的光谱是连续的;
②黑体单色辐射力随温度身高而增大,单色辐射力曲线下的面积就是黑体辐
射力曲线下的面积就是黑体的总辐射力;
③给定温度下,黑体的单色辐射力具有一最大值,对应波长称为最大单色辐
射力波长。随着温度升高,最大单色辐射力波长向短波方向移动;
三、斯特潘一玻尔兹曼定律、维恩位移定理、普朗克定律
3光信道
1)采用激光无线通信时,信道对其影响可能有哪些?
由于大气散射、折射、湍流等诸多因素的影响,会造成激光信号在传输过程
中能量衰减,光强闪烁,光束随机偏转。
4.光电转换器(传感器、探测器)
1)描述光电探测器的主要技术指标是什么?
光电器件的探测灵敏度、响应时间和频率相应、噪声等效功率、探测度D与
比探测度D*、量子效率
2)设计一个光电系统时,选择光电探测器的主要考虑有哪些?
①光电检测器件必须和辐射信号源及光学系统在光谱特性上匹配;②光电检
测器件的光电转换特性必须和入射辐射能量相匹配;③光电检测器件的响应
特性必须和光信号的调制形式、信号频率及波形相匹配,以保证得到没有频
率失真和良好的时间响应;④光电检测器件必须和输入电路以及后续电路在
电特性上相互匹配,以保证最大的转换系数、线性范围、信噪比以及快速的
动态响应。
3)解释内光电效应、外光电效应。为何说材料的禁带宽度Eg是个重要参数?
一
、
①由于光量子作用,引发物质电化学性质变化。内光电效应又可分为光电导
效应和光生伏特效应。
光电导效应:当入射光子射入到半导体表面时,半导体吸收入射光子产生电
子空穴对,使其自生电导增大;光生伏特效应:当一定波长的光照射非均匀
半导体(如p-n结),在自建场的作用下,半导体内部产生光电压。
②某些材料在入射光子的能量足够大时有电子逸出材料表面的现象。
二、半导体能带结构中,导带最低点与价带最高点之间的能量差,禁带宽度
的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量,也就是产生本
征激发所需要的最小能量。
禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的,它直接决定着器件的耐
压和最高工作温度;对于BJT,当发射区因为高掺杂而出现禁带宽度变窄时,
将会导致电流增益大大降低。
4.1光子探测器
1)光电导器件的电极设计通常为什么形状?为何如此设计?
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