深圳市羽楷科技AP140N10FPT 140A 100V TO-220F-3L TO-220-3L TO-263-3L.pdf

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AP140N10FIPIT

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP140N10P/TusesadvancedAPM-SGTⅠⅠtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=100VI140A

DSD

RDS(ON)5.5mΩ@VGS=10V(Type：4.6mΩ)

Application

DC/DCConverter

LEDBacklighting

PowerManagementSwitches

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP140N10FTO-220F-3LAP140N10FXXXYYYY1000

AP140N10PTO-220-3LAP140N10PXXXYYYY1000

AP140N10TTO-263-3LAP140N10TXXXYYYY800

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage100V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V140A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V85A

IDM

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