素养培优5　带电粒子在三维空间中的运动 强化练习-2025高考物理素养培优.docxVIP

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素养培优5带电粒子在三维空间中的运动

1.（2024·山东济宁一模）如图所示，在三维坐标系O-xyz中存在一长方体ABCD-abOd，yOz平面左侧存在沿z轴负方向、磁感应强度大小为B1（未知）的匀强磁场，右侧存在沿BO方向、磁感应强度大小为B2（未知）的匀强磁场（未画出）。现有一带正电粒子以初速度v从A点沿平面ABCD进入磁场，经C点垂直于yOz平面进入右侧磁场，此时撤去yOz平面左侧的磁场B1，换上电场强度为E（未知）的匀强电场，电场强度的方向竖直向上，最终粒子恰好打在Aa棱上。已知AB＝2L、Aa＝AD＝L，B2＝52B1，粒子的电荷量为q，质量为m（重力不计）。求：

（1）磁感应强度B1的大小；

（2）粒子第二次经过yOz平面的坐标；

（3）电场强度E的大小。

2.（2024·湖南长沙高三二模）如图所示，三维坐标系Oxyz内存在着正四棱柱空间区域，正四棱柱的截面OPMN水平且与ACDF-IJGH的两个底面平行，其中A点的坐标为0，66L，0，C点的坐标为0，66L，L，正四棱柱ACDF-OPMN空间处于沿y轴方向的匀强电场中，OPMN-IJGH空间处于沿y轴负方向的匀强磁场中，质量为m、电荷量为＋q的粒子以速度v0

（1）求匀强电场的电场强度；

（2）若粒子恰好未从四棱柱的侧面飞出，求匀强磁场的磁感应强度B的大小；

（3）若粒子最终从JH连线上的一点射出磁场区域，此点到J点的距离为24L，求I点的y轴坐标

3.（2024·山东济南一模）如图甲所示，在三维坐标系O-xyz中，0＜x＜d的空间内，存在沿y轴正方向的匀强电场，x＞d的空间内存在沿x轴正方向的匀强磁场，荧光屏垂直于x轴放置，其中心C位于x轴上并且荧光屏可以沿x轴水平移动。从粒子源不断飘出电荷量为q、质量为m的带正电粒子，加速后以初速度v0沿x轴正方向经过O点，经电场进磁场后打在荧光屏上。已知粒子刚进入磁场时速度方向与x轴正方向的夹角θ＝60°，忽略粒子间的相互作用，不计粒子重力。

（1）求匀强电场电场强度的大小E；

（2）当粒子打到荧光屏后，沿x轴缓慢移动荧光屏，沿x轴正方向看去，观察到荧光屏上出现如图乙所示的荧光轨迹（箭头方向为荧光移动方向），轨迹最高点P的y轴坐标值为53d6，求匀强磁场磁感应强度的大小B1以及荧光屏中心C初始位置可能的

（3）若将荧光屏中心C固定于x轴上x＝d＋3d6处，在x＞d的空间内附加一沿y轴负方向的匀强磁场，磁感应强度大小为B2＝3mv0qd

4.（2024·浙江金华模考）在芯片制造过程中，离子注入是其中一道重要的工序。如图所示的是离子注入工作的原理示意图，离子经加速后沿水平方向进入速度选择器，然后通过磁分析器，选择出特定比荷的离子，经偏转系统后注入处在水平面内的晶圆（硅片）。速度选择器、磁分析器和偏转系统的匀强磁场的磁感应强度大小均为B，方向均垂直于纸面向外；速度选择器和偏转系统中的匀强电场的电场强度大小均为E，方向分别为竖直向上和垂直于纸面向外。磁分析器截面是内外半径分别为R1和R2的四分之一圆环，其两端中心位置M和N处各有一个小孔；偏转系统中电场和磁场的分布区域是同一边长为L的正方体，其底面与晶圆所在水平面平行，间距也为L。当偏转系统不加电场及磁场时，离子恰好竖直于注入到晶圆上的O点（即图中坐标原点，x轴垂直于纸面向外）。整个系统置于真空中，不计离子重力，打在晶圆上的离子经过电场和磁场偏转的角度都很小。当α很小时，有sinα≈tanα≈α，cosα≈1－12α2。求

（1）离子通过速度选择器后的速度大小v和磁分析器选择出来的离子的比荷qm

（2）偏转系统仅加电场时离子注入晶圆的位置，用坐标（x，y）表示；

（3）偏转系统仅加磁场时离子注入晶圆的位置，用坐标（x，y）表示。