深圳市羽楷科技AP24N50MP 24A 500V TO-247-3L.pdf

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AP24N50MP

500VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP24N50MPissiliconN-channelEnhanced

VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology

whichreducetheconductionloss,improveswitching

performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor

canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem

miniaturizationandhigherefficiency.

GeneralFeatures

V=500VI24A

DSD

RDS(ON)280mΩ@VGS=10V（Type：215mΩ）

Application

UninterruptiblePowerSupply(UPS)

PowerFactorCorrection(PFC)

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP24N50MPTO-247-3LAP24N50MPXXXYYYY3000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterValueUnit

VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)500V

IDContinuousDrainCurrent24A

IDMPulsedDrainCurrent(note1)72A

VGSGate-SourceVoltage±30V

EASSinglePulseAvalancheEnergy(note2)662mJ

IARAvalancheCurrent(note1)18A

该用户很懒，什么也没介绍

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