深圳市羽楷科技APG130N06D 130A 60V TO-252.pdf

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APG130N06D

60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAPG130N06Dusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=60VI=130A

DSD

RDS(ON)3.2mΩ@VGS=10V（Type：2.35mΩ）

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

APG130N06DTO-252APG130N06DXXXYYYY2500

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage60V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent1,6130A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent1,666A

IDMPulsedDrainCurrent240A

该用户很懒，什么也没介绍

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