数电第4版 课件 8F 场效应三极管.ppt

2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑浙江省首批精品课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑浙江省首批精品课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑浙江省首批精品课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑2.2半导体器件基础2.2.1半导体的基本知识2.2.2PN结的形成及单向导电性2.2.3二极管2.2.4双极型三极管2.2.5MOS场效应晶体管MOS管又称为金属氧化物半导体场效应三极管MOS管分为N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型、P沟道耗尽型四种类型。2.2.5MOS场效应管耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道（Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET）取一块P型半导体作为衬底，用B表示。用氧化工艺生成一层SiO2薄膜绝缘层。用光刻工艺腐蚀出两个孔。扩散两个高掺杂的N型区，从而形成两个PN结。从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。1.NMOS管的结构和符号2.2.5MOS场效应管（1）当vGS=0V时当vGS=0V时，漏极D和源极S之间为两个PN结，两端加上电压总有一个PN结反偏，因此，无电流流过，iD=0。管子处于截止状态。2.MOS管的工作原理2.2.5MOS场效应管0ViD=0（2）当vGS＞0时vGS＞0将在绝缘层产生电场，该电场将SiO2绝缘层下方的空穴推走，同时将衬底的电子吸引到下方，形成导电沟道。反型层当vDS＞0产生有漏极电流iD。这说明vGS对iD的控制作用。2.MOS管的工作原理思考：何谓反型层？何谓开启电压？2.2.5MOS场效应管（3）vDS对沟道的控制作用在漏源电压的作用下，整个沟道呈楔形分布。当vDS增加到使vGD=VT时，在紧靠漏极处出现预夹断。2.2.5MOS场效应管（4）vDS和vGS同时作用时vGS变化时，给定一个vGS，就有一条不同的iD–vDS曲线。2.2.5MOS场效应管（5）特性曲线①截止区。当vGS＜VT时，导电沟道尚未形成，iD＝0，为截止工作状态。2.2.5MOS场效应管②可变电阻区vDS≤vGS－VTrdso是一个受vGS控制的可变电阻。2.2.5MOS场效应管③饱和区（又称恒流区、放大区）vGSVT，且vDS≥（vGS－VT）3.NMOS管和PMOS管的通断条件NMOS当vGS＞VTN时导通当vGS＜VTN时截止PMOS当∣vGS∣＞∣VTP∣时导通当∣vGS∣＜∣VTP∣时截止2.2.5MOS场效应管（1）当vGS=0时，rDS可达到106Ω。当vGS增加时，rDS减小，最小可达到10Ω左右，因此，MOS管可看成由电压控制的电阻。（2）MOS管的门极有非常高的输入阻抗。4.MOS管的电路模型2.2.5MOS场效应管（1）当MOS管构成放大电路时，工作在哪个区？（2）BJT和MOSFET有什么区别？5.思考题2.2.5MOS场效应管（3）MOSFET的简化符号和等效模型？（4）当MOS管构成门电路时，工作在哪两个区？5.思考题2.2.5MOS场效应管*2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑浙江省首批精品课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑浙江省首批精品课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑浙江省首批精品课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑*