数电第4版 课件 32只读存储器.ppt

2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑2020浙江省线下一流课程——数字电路与数字逻辑6.2只读存储器（ROM）6.3静态随机存储器（SRAM）6.4动态随机存储器（DRAM）第6章半导体存储器6.1概述冯.诺依曼结构6.1概述半导体存储器是可以存储大量二进制信息的数字器件。在计算机系统中用来存放指令和数据。计算机由控制器、运算器、存储器、输入设备、输出设备5部分组成。半导体存储器是计算机系统的重要部件6.1概述CPU对存储器的操作有读和写两种操作。半导体存储器与CPU之间是通过地址总线（AB)、数据总线(DB)、控制总线(CB)连接的。存储器的数据端口应具有三态输出功能。半导体存储器主要指标：容量和速度6.1概述最小的存储容量单位是位（bit）。数据以字为单位进行读出或写入。一个字由多位二进制数组成，其字长（位数）通常为8位（Byte)、16位。存储器的容量有两种表示方法：一种是字数×字长,如512K×8；另一种用总的位数来表示，如4Mbit。1K=210=1024，1M=220=1024K，1G=230=1024M表示半导体存储器的速度的主要参数是存取时间。6.1概述只读存储器ROM和随机存储器RAM。半导体存储器的分类：ROM：读很方便，写不方便。掉电后数据不丢失。RAM：读和写一样方便。掉电后数据丢失。半导体存储器随机存储器（RAM）静态RAM（SRAM）动态RAM（DRAM）只读存储器(ROM)掩膜ROM（MaskROM）可编程ROM（PROM）可擦可编程ROM（EPROM）基本结构：地址译码器、存储矩阵、输出缓冲器存储单元：可以存放1位二进制数的单元电路字单元：存储单元的组合，具有唯一的地址1.掩膜ROM6.2只读存储器存储矩阵：所有存储单元的集合地址译码器真值表地址译码器的逻辑电路A1A0W0W1W2W3001000010100100010110001地址译码器的函数表达式6.2只读存储器地址译码器实际电路Y＆BABY=ABVCCRAW0=A1A06.2只读存储器（2）存储矩阵和输出缓冲电路A1A0D3D2D1D0000011010111101001111111交叉点处接有二极管时相当于存1，没接二极管时相当于存0。ROM中存放的数据6.2只读存储器存储矩阵结构2.PROM00101111熔丝6.2只读存储器OTPROM（1）UVEPROM（Ultra-violeterasablePROM）（2）E2PROM（3）FlashMemory3.EPROM6.2只读存储器可擦除可编程ROM（1）UVEPROM（Ultra-violeterasablePROM）6.2只读存储器（1）UVEPROM（Ultra-violeterasablePROM）浮置栅无电荷，相当于普通NMOS管浮置栅有电荷，控制栅加高电平仍截止6.2只读存储器SIMOS管有两个栅极：控制栅和浮置栅6.2只读存储器编程：只要在SIMOS管的漏源之间加足够高电压，产生雪崩击穿，部分高能量的电子进入浮置栅。擦除：就是将SIMOS管浮置栅中的电荷泄放，使每个存储单元的数据均为1。通过紫外线的照射来实现擦除操作。（2）E2PROM6.2只读存储器（2）E2PROM6.2只读存储器E2PROM的编程和擦除编程：在控制栅Gc加高于常规的电压，会产生隧道效应，使得一部分电子从绝缘层最薄的位置，通过绝缘层进入浮置栅，使浮置栅获得负电荷。擦除：施加与编程时相反的电压，将使浮置栅中的电子重回沟道。6.2只读存储器E2PROM芯片24C02框图（3）Flash