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1引言

半导体激光器是信息化社会最具有代表性的关键光电子器件之一，已经在许

多领域得到广泛的应用。研究人员在边发射激光器(Edgeemit-tinglaser，

EEL)的研制过程中遇到了阵列制备工艺复杂、器件测试困难以及输出模式和

波长难以控制等问题。因此，在1977年，日本东京工业大学教授KIga提

出了一种VCSEL的概念［1］，并在1979年采用GaInAsP材料体系在77

K温度下首次实现脉冲输出［2］。如图1所示［1］，VCSEL是一种在与

半导体外延片垂直方向上形成光学谐振腔、发出的激光束与衬底表面垂直的

半导体激光器结构。

在这样的面发射半导体激光器结构中，光的输出端和器件底端都需要反射镜，

而反射镜的高反射率对降低阈值电流密度起着非常巨大的作用。因此，人们

针对高反射率的反射镜进行了各种研究，例如介质膜分布式布拉格反射镜

(Dis-tributedBraggreflectors，DBＲ)、半导体DBＲ、复合反射镜

以及金属膜反射镜等［3］。GaAs材料体系的VCSEL从1983年开始研究，

到1986年实现低阈值的微腔操作［4］，这期间采用两种不同类型的膜以

四分之一波长的厚度交替生长而成的DBＲ能实现光强反射，反射率达到了

99%以上。到了1988年，VCSELs器件采用多层SiO2/TiO2介质膜DB

Ｒ，首次实现了850nm的室温连续激射［5］。然而，虽然数对介质膜DB

Ｒ即可实现高反射率，但是这种结构不导电且散热性差。为了改进这一状

况，1986年首次实现了AlGaAs/GaAsDBＲ的VC-SEL器件［6］。由于p

型AlAs/Al0．1Ga0．9AsDBＲ具有较高的势垒电阻，因此该器件只在

n侧使用半导体DBＲ，而另一侧反射镜采用Au/SiO2镜面组成。为了改

进半导体DBＲ的势垒电阻问题，许多研究机构进行了报道［6-9］。其中

代表性的器件是采用高浓度Zn掺杂的AlAs层制备p型DB

Ｒ［7］。此外，为了避免DBＲ的高势垒电阻问题，VCSEL器件采用光泵

浦方式工作［8］，或者减少一侧DBＲ的层数和一个外部输出耦合镜相结合

［9］，实现连续输出。而量子阱(Quantumwells，QWs)和量子点(Quantum

dots，QDs)结构应用于VCSEL的有源区域时，进一步提高了VCSEL输出

性能［1］。随后，VCSEL器件的深入研究展现了其本身所具有的独特优势，

实现了高功率输出［10-11］、高调制速率［12-13］以及高温稳定［14］等

性能。

与传统的EEL结构不同，VCSEL结构是由上下DBＲ、QWs、氧化孔径和上

下金属电极组成。其有源区位于n型掺杂的DBＲ和p型掺杂的DBＲ之

间。这种结构具有很多独特的优势。

(1)光束质量:VCSEL的出射光是从一个圆形对称的台面中出射，输出小

发散角的圆型对称光斑，通过简单的光束整形系统，就可以实现低成本高

效率的耦合;

(2)阈值低:由于VCSEL有源区的体积小，容易实现低阈值激射，甚至可

以达到μA量级;

(3)无镜面损伤:VCSEL