安世PXP013-30QL深圳恒锐丰科技有限公司.pdf

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PXP013-30QL

30V,P-channelTrenchMOSFET

31July2023Productdatasheet

1.Generaldescription

P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanMLPAK33(SOT800)Surface-

MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology.

2.Featuresandbenefits

•Logiclevelcompatible

•TrenchMOSFETtechnology

•MLPAK33package(3.3x3.3mmfootprint)

3.Applications

•High-sideloadswitch

•Batterymanagement

•DC-to-DCconversion

•Switchingcircuits

4.Quickreferencedata

Table1.Quickreferencedata

SymbolParameterConditionsMinTypMaxUnit

Vdrain-sourcevoltageT=25°C---30V

DSj

VGSgate-sourcevoltage-20-20V

IDdraincurrentVGS=-10V;Tamb=25°C;t≤5s[1]---14.7A

Staticcharacteristics

Rdrain-sourceon-stateV=-10V;I=-8.6A;T=25°C-11.313.3mΩ

DSonGSDj

resistance

V=-4.5V;I=-7.1A;T=25°C-15.619.5mΩ

GSDj

[1]DevicemountedonanFR4Print

该用户很懒，什么也没介绍

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