电子技术第8章存储器与可编程逻辑器件习题及答案.docxVIP

第8章存储器与可编程逻辑器件

存储器概述

自测练习

存储器中可以保存的最小数据单位是（ ）。

（a）位 （b）字节 （c）字

指出下列存储器各有多少个基本存储单元？多少存储单元？多少字？字长多少？

（a）2K×8位 （ ）（ ）（ ）（ ）

（b）256×2位 （ ）（ ）（ ）（ ）

（c）1M×4位 （ ）（ ）（ ）（ ）

ROM是（ ）存储器。

（a）非易失性 （b）易失性

（c）读/写 （d）以字节组织的

数据通过（ ）存储在存储器中。

（a）读操作 （b）启动操作

（c）写操作 （d）寻址操作

RAM给定地址中存储的数据在（ ）情况下会丢失。

（a）电源关闭 （b）数据从该地址读出

（c）在该地址写入数据 （d）答案（a）和（c）

具有256个地址的存储器有（ ）地址线。

（a）２５６条 （b）６条 （c）8条 （d）16条

可以存储２５６字节数据的存储容量是（ ）。

（a）２５６×１位 （b）２５６×８位

（c）１Ｋ×４位 （d）２Ｋ×１位

答案：

1．a

2．（a）2048×8；2048；2048；8

（b）512；256；256；2

（c）1024×1024×4；1024×1024；1024×1024；4

3．a4．c5．d6．c7．b

随机存取存储器（RAM）

自测练习

动态存储器（DRAM）存储单元是利用（ ）存储信息的，静态存储器

（SRAM）存储单元是利用（ ）存储信息的。

为了不丢失信息，DRAM必须定期进行（ ）操作。

半导体存储器按读、写功能可分成（ ）和（ ）两大类。

RAM电路通常由（ ）、（ ）和（ ）三部分组成。

6116RAM有（ ）根地址线，（ ）根数据线，其存储容量为（ ）位。

答案：

栅极电容，触发器

刷新

只读存储器，读/写存储器

地址译码，存储矩阵，读/写控制电路

5．11，8，2K×8位

只读存储器（ROM）

自测练习

ROM可分为（ ）、（ ）、（ ）和（ ）几种类型。

ROM只读存储器的电路结构中包含（ ）、（ ）和（ ）共三个组成部分。

若将存储器的地址输入作为（ ），将数据输出作为（ ），则存储器可实现组合逻辑电路的功能。

2

掩膜ROM可实现的逻辑函数表达式形式是（ ）。

28256型EEPROM有（ ）根地址线，（ ）根数据线，其存储容量为

（ ）位，是以字节数据存储信息的。

EPROM是利用（ ）擦除数据的，EEPROM是利用（ ）擦除数据的。

PROM/EPROM/EEPROM分别代表（ ）。

一个PROM/EPROM能写入（ ）（许多，一）次程序。

存储器2732A是一个（ ）（EPROM，RAM）。

在微机中，4种存储类型为（ ）。

答案：

ROM，PROM，EPROM，EEPROM

存储矩阵，地址译码，输出控制电路

输入，输出

标准与或形式（最小项表达式）

5．15，8，32K×8

紫外线，电

可编程的只读存储器，可擦可编程的只读存储器，电可擦可编程的只读存储器

一次/许多

EPROM

寄存器，高速缓存，主存，外存

快闪存储器（FlashMemory）

自测练习

非易失性存储器有（ ）。

（a）ROM和RAM （b）ROM和闪存 （c）闪存和RAM

FlashMemory的基本存储单元电路由（ ）构成，它是利用（ ）保存信息，具有（ ）性的特点。

FlashMemory28F256有（ ）和（ ）两种操作方式。

从功能上看，闪存是（ ）存储器，从基本工作原理上看，闪存是（ ）存储器。

Flash28F256有（ ）根地址线，（ ）根数据线，其存储容量为

（ ）位，编程操作是按字节编程的。

答案：

1．b

一个浮栅MOS管，浮栅上的电荷，非易失

只读存储方式，读/写存储方式

RAM，ROM

5．15，8，32K×8

存储器的扩展

自测练习

存储器的扩展有（ ）和（ ）两种方法。

如果用2K×16位的存储器构成16K×32位的存储器，需要（ ）片。

（a） 4 （b） 8 （c） 16

用4片256×4位的存储器可构成容量为（ ）位的存储器。

若将4片6116RAM扩展成容量为4K×16位的存储器，需要（ ）根地址线。

（a）10 （b）11 （c）12 （d）13

将多片1K×4位的存储器扩展成8K×4位的存储器是进行（ ）扩展；若扩展成1K×16位的存储器是进行（ ）扩展。

256?4的存储器有（）根数据线，（）根地址线，若该存储器的起始地址为００Ｈ，则最高地址为（），欲将该存储器扩展为1K?8的存储系统，需要256?4的存储器（）个。

答案：