芯片基础--模拟集成电路设计(山东联盟)智慧树知到答案章节测试2023年山东工商学院.pdfVIP

第一章测试

1.跟数字集成电路设计一样，目前高性能模拟集成电路的设计已经能自动完成。

A:对

B:错

答案:B

2.模拟电路许多效应的建模和仿真仍然存在问题，模拟设计需要设计者利用经

验和直觉来分析仿真结果

A:对

B:错

答案:A

3.模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进行折

衷

A:错

B:对

答案:B

4.CMOS电路已成为当今SOC设计的主流制造技术。

A:错

B:对

答案:B

5.MOSFET的特征尺寸越来越小，本征速度越来越快（已可与双极器件相比

较），现在几GHz～几十GHz的CMOS模拟集成电路已经可批量生产。

A:错

B:对

答案:B

6.相对于数字电路来说，模拟集成电路的设计更加基础，更加灵活。

A:错

B:对

答案:B

7.片上系统，又称SOC，其英文全称是：

A:SystemonChip

B:SystemOperationsCenter

C:Systemofcomputer

D:Separationofconcerns

答案:A

8.互补金属氧化物半导体，英文简称CMOS，其英文全称为：

A:ComplementaryMetalOxideSystem

B:ComplementaryMachineOfSemiconductor

C:ComplementaryMetalOxideSemiconductor

D:CargoMachineOfSemiconductor

答案:C

9.模拟数字转换器,英文简称ADC,英文全称为：

A:AmbulancetoDestinationConverter

B:Analog-to-DestinationConverter

C:Analog-to-DigitalConverter

D:AmbulancetoDigitalConverter

答案:C

第二章测试

1.MOS器件的源端和漏端不可以共用，不可以互换。

A:对

B:错

答案:B

2.如果一个电路的最高电压是，最低电压是，那么NMOS器件的衬底应该接。

A:错

B:对

答案:A

3.一般MOS器件的源漏是对称的，这告诉我们要根据实际集成电路的情况来

判断电路的源极和漏极。

A:错

B:对

答案:B

4.下列关于MOS版图说法不正确的是（）

A:版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里

B:栅极的接触孔应该开在沟道区外

C:版图中沟道长度L的最小值由工艺决定

D:源结和漏结的一个尺寸等于W，另外一个尺寸要满足接触孔的需要，并

且要满足设计规则

答案:A

5.下列关于阈值电压的说法，不正确的是（）

A:在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压

B:若，则NMOS器件关断

C:NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的

栅源电压

D:当时，NMOS器件导通

答案:B

6.下列关于NMOS器件的伏安特性说法正确的是（）

A:当时，NMOS器件工作在截止区

B:当，时，NMOS器件工作在饱和区

C:当，并且NMOS器件工作在线性区

D:当时，且时，NMOS器件工作在深线性区

答案:ABC

7.下列对器件尺寸参数描述正确的有（）

A:tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定

B:L是器件的沟道长度，W是器件的宽度

C:一般所说的90nm工艺，其中的90nm