集成电路CAD(A)_原创精品文档.pdfVIP

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………密………封………线………以………内………答………题………无………效……

电子科技大学2014-2015学年第一学期期末考试A卷

课程名称：集成电路CAD考试形式：开卷考试日期：2014年11月24日考试时长：120__分钟

课程成绩构成：平时10%，期中%，实验%，期末90%

本试卷试题由_2_部分构成，共__5___页。

题号一二三四五六七八九十合计

得分

得分

一、填空题（共25共6，每空1分）

1、SOC中文翻译为（），DRC中文翻译为（），Semi-Custom

DesignApproach中文翻译为（）。

2、集成电路版图设计中图形匹配技术，对数字集成电路可以（），对模拟集

成电路可以（）

3、在SPICE电路模拟软件中，集成电路中的电感，考虑了（）和（）对电感值的影响。

4、SPICE中的二极管温度模型中，考虑了温度对（）、（）和（）的影响。

5、引起饱和区输出特性曲线向上倾斜的原因，对于BJT而言是（）效应，SPICE中用模型参

数（）来描述；而对MOSFET则是（）效应，SPICE中用模型参数（）

来描述。

6、门海的基本单元由（）构成，宏单元采用（）进行隔离。

7、集成电路的版图设计中，消除天线效应的方法是（），（）和（）。

8、SPICE语句：M12100MODL=5UW=20U

M1是指（），节点１接的是（），MOD是（）。

9、在PSPICE中Analysis菜单的Setup对话框中，DCSweep意思是（），Transient功能是

（），Parametric…的选择是进行（）。

得分

二、简答下列问题：（共20分）

1、简单说明提取MOS晶体管沟道长度调制系数的方法。(4分)

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2、解释下列PSPICE语句的内容。(4分)

C260ACAP20NFIC=1.5V

3、大规模集成电路芯片成本由什么决定？根据芯片特性如何降低其成本?(4分)

4、什么是小尺寸MOSFET的速度饱和效应？它对电路性能的影响是什么？(4分)

5、MOS晶体管BSIM模型中，是如何考虑寄生串联电阻的？(4分)

得分

三、画图：（20分）

1、画出集成电路芯片薄层电阻的射频等效电路图。

2、画出标准单元法设计的集成电路版图示意图。

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