半导体工艺及芯片制造技术问题答案(全).pdf

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activeregion有源區

2.activecomponent有源器件

3.Anneal退火

4.atmosphericpressureCVD(APCVD)常壓化學氣相澱積

5.BEOL（生產線）後端工序

6.BiCMOS雙極CMOS

7.bondingwire焊線，引線

8.BPSG硼磷矽玻璃

9.channellength溝道長度

10.chemicalvapordeposition(CVD)化學氣相澱積

11.chemicalmechanicalplanarization(CMP)化學機械平坦化

12.damascene大馬士革工藝

13.deposition澱積

14.diffusion擴散

15.dopantconcentration摻雜濃度

16.dryoxidation幹法氧化

17.epitaxiallayer外延層

18.etchrate刻蝕速率

19.fabrication制造

20.gateoxide柵氧化矽

21.ICreliability集成電路可靠性

22.interlayerdielectric層間介質（ILD）

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23.ionimplanter離子注入機

24.magnetronsputtering磁控濺射

25.metalorganicCVD(MOCVD)金屬有機化學氣相澱積

26.pcboard印刷電路板

27.plasmaenhancedCVD(PECVD)等離子體增強CVD

28.polish拋光

29.RFsputtering射頻濺射

30.silicononinsulator絕緣體上矽（SOI）

第一章半導體產業介紹

1.什麼叫集成電路？寫出集成電路發展の五個時代及晶體管の數量？(15分)

集成電路：將多個電子元件集成在一塊襯底上，完成一定の電路或系統功能。

集成電路芯片/元件數產業周期

無集成11960年前

小規模(SSI)2到5020世紀60年代前期

中規模(MSI)50到500020世紀60年代到70年代前期

大規模(LSI)5000到10萬20世紀70年代前期到後期

超大規模(VLSI)10萬到100萬20世紀70年代後期到80年代後期

甚大規模(ULSI)大於100萬20世紀90年代後期到現在

2.寫出IC制造の５個步驟？(15分)

Waferpreparation(矽片准備)

Waferfabrication(矽片制造)

Wafertest/sort(矽片測試和揀選)

Assemblyandpackaging(裝配和封裝)

Finaltest(終測)

3.寫出半導體產業發展方向？什麼是摩爾定律？(15分)

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發展方向：提高芯片性能——提升速度(關鍵尺寸降低,集成度提高,研發采用新材料)，降低功耗。

提高芯片可靠性——嚴格控制汙染。

降低成本——線寬降低、晶片直徑增加。

摩爾定律指：ICの集成度將每隔一年翻一番。

1975年被修改為：ICの集成度將每隔一年半翻一番。

4.什麼是特征尺寸CD？(10分)

最小特征尺寸，稱為關鍵尺寸（CriticalDimension，CD）CD常用於衡量工藝難易の標志。

5.什麼是Moremoore定律和Morethan