桂林电子科技大学2013年硕士研究生入学考试半导体物理试题B卷.doc

桂林电子科技大学2013年硕士研究生入学考试

复试试卷B

考试科目代码：227考试科目名称：半导体物理

请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1、关于本征半导体，下列说法中错误的是（）

A、本征半导体的费米能级EF=Ei，基本位于禁带中线处

B、本征半导体中电子和空穴浓度相同

C、本征半导体的费米能级和温度无关，只决定于材料本身

D、本正半导体的电中性条件是qn0=qp0

2、关于空穴，下列说法不正确的是（）

A、空穴同电子一样都是物质世界中的实物粒子B、空穴具有正的有效质量

C、空穴带正电荷

D、半导体中电子空穴共同参与导电

3、对于一定的n型半导体，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近Ei。

A、EcB、EvC、EgD、EF

4、对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级随温度上升而（）

A、单调上升B、单调下降

C、经过一个极小值趋近EiD、经过一个极大值趋近Ei

5、光电导效应是指（）

A、光在介质传播时的电导B、光在半导体材料中的传播速度

C、光照引起半导体材料电导率的变化D、光照产生光致发光

6、非平衡载流子就是（）

A、处于导带还未与价带空穴复合的电子B、不稳定的电子空穴对

C、不停运动着的载流子D、偏离热平衡状态的载流子

7、pn结击穿是指（）

A、反向电流随反向电压增加迅速增加B、正向电流随反向电压增加迅速增加

C、正向电压随电流增加迅速增加D、反向电压随电流增加迅速增加

8、当金属与n型半导体接触形成阻挡层时，金属的功函数W1和半导体的功函数W2的关系是（）

A、与两种材料的功函数无

B、W1＜W2C、W1=W2

9、下列哪个参数不能由霍尔效应确定（）

A、载流子浓度B、迁移率C、有效质量m*

10、有效复合中心的能级接近（）

A、禁带中心能级EiB、施主或受主能级C、费米能级EF

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请注意：答案必须写在答题纸上（写在试卷上无效）。

二、填空题（每空2分，共20分）

1、晶体的结合力又称为化学键，硅晶体的化学键是。

2、施主杂质电离后向半导体提供，受主杂质电离后向半导体提供。

3、影响迁移率的因素包括：、能带结构和散射机构。

4、载流子的运动类型有运动和运动。

5、平衡pn结的空间电荷区两端的电势差VD，称为pn结的电势。

6、深能级杂质在半导体中起到和的作用。

7、表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为态。

三、名称解释（每题4分，共20分）

1、简并半导体

2、杂质补偿

3、肖特基势垒

4、同质结和异质结

5、复合中心

三、问答题（每题5分，共20分）

1、用能带图分别描述直接复合、间接复合过程。

2、简述禁带宽度变窄效应。

3、什么是复合中心、什么是陷阱中心？

4、什么是扩散长度、牵引长度？它们各由哪些因素决定？

四、计算题（每题10分，共20分）

室温下k0T=0.026eV，电子电量1.602×10-19

1、半导体材料硅中掺入施主杂质浓度ND=2×1017cm-3，受主杂质浓度NA=5×1016cm-3；设室温下本征硅材料的电阻率?i=2400?.cm，电子和空穴的迁移率分别为?n=1000cm2/(V.S)，?p=300cm2/(V.S)

2、施主浓度ND=1017cm-3的n型单晶硅（如右图所示），室温下的功函数是多少？若忽略表面态的影响，当它同金属Al、Au、Mo接触时，是形成阻挡层还是反阻挡层？设硅的电子亲和能Xs=4.05eV，NC=2.8×1019cm-3，设功函数为WAl=4.18eV，WAu=5.20eV，WMo=4.26eV。

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